華虹半導體取得改善光刻機硅片背面靜電分佈方法專利

金融界

02/06

國家知識產權局信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司取得一項名為「改善光刻機硅片背面靜電分佈的方法」的專利，授權公告號CN114007320B，申請日期為2021年11月。

天眼查資料顯示，華虹半導體（無錫）有限公司，成立於2017年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業為主的企業。企業註冊資本253685.180069萬美元。通過天眼查大數據分析，華虹半導體（無錫）有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目2944次，專利信息1986條，此外企業還擁有行政許可117個。

聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基於第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。

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作者：情報員

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