美光科技股價周一尾盤下跌2.3%，此前有消息稱三星電子將提前開始大規模生產新一代高帶寬存儲芯片。

　　三星計劃本月啓動HBM4芯片的大規模生產，為英偉達下一代AI加速器Vera Rubin供貨。據報道，這款芯片的處理速度較前代HBM3E提升約22%，數據傳輸速率可達11.7 Gbps。

　　生產計劃提前可能使三星在AI處理器供應競爭中領先於美光和SK海力士。HBM芯片利潤率高於標準存儲芯片，投資者擔憂美光可能在該領域失去市場份額。

　　美光首席執行官梅赫羅特拉表示，公司目標在2026年第二季度提升自身HBM4產能。儘管面臨競爭壓力，英偉達股價仍上漲約3%，反映出市場對AI芯片的強勁需求。

　　分析師指出，不斷增長的AI基礎設施市場正在重塑存儲芯片需求格局，HBM已成為影響AI處理器性能的關鍵因素。

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責任編輯：張俊 SF065