內存價格回穩或將推遲至2028年!16GB淪為底線,32GB仍是奢望...

芯略透視
02/12

表面上看,全球存儲產業正處於一波前所未有的大規模建設周期之中。

然而,深入剖析各大科技廠商的具體規劃後會發現一個頗為殘酷的現實——新增產能絕大多數將用於滿足AI服務器需求的高帶寬內存(HBM),而非面向個人電腦的標準DRAM產品。

由人工智能掀起的這場市場板塊位移,正從根本上重塑硬件供應鏈的資源分配邏輯。以英偉達為代表的AI芯片巨頭需求激增,迫使存儲製造商將現有及未來的生產線全面轉向利潤更豐厚、需求更緊迫的HBM技術,而消費級DRAM則陷入漫長的等待期。

根據IEEE Spectrum的市場分析,三大存儲原廠的擴產節奏與產品側重,對於那些期待近期能以合理價格組裝電腦的消費者而言,無異於一盆冷水。

美光(Micron)

美光預計將成為首家釋放新增產能的廠商。其位於新加坡的新建晶圓廠計劃於2027年投產,同時台灣地區的相關設施也在進行產線改造,預計將於2027年下半年進入量產。

但關鍵在於,上述產能將主要用於生產適配英偉達AI GPU所需的HBM內存,而非PC用的標準DRAM。至於美光規劃在美國紐約州建設的DRAM工廠,據相關報道,可能要等到2030年才能實現全面量產。

SK海力士(SK Hynix

作為AI存儲領域的頭部廠商之一,SK海力士正在韓國清州(Cheongju)及美國印第安納州加速建設新的HBM專用工廠。這兩處設施預計均要到2028年底前後方可完工投產。

面對AI客戶龐大且仍在持續增長的需求,該公司甚至將其原定於2027年的工廠建設計劃提前了三個月,並承諾投入超過5000億美元新建四座晶圓廠,同時宣佈追加近130億美元投資於AI先進封裝設施。顯而易見,這一切資源投放的重心均是AI賽道。

三星(Samsung)

三星位於韓國平澤(Pyeongtaek)的新建晶圓廠預計將在2028年投入運營。值得注意的是,在當前已公開的信息中,不論是SK海力士還是三星,均未明確提及針對傳統DRAM的新增產能建設規劃。

即便新建工廠自2028年起陸續投產,業界對於DRAM價格能否迅速回落仍普遍持謹慎態度。Mkecon Insights經濟學家Mina Kim指出,存儲價格往往具有「上漲容易下跌難」的剛性特徵。考慮到算力需求的增長近乎無止境,DRAM價格大概率也難以例外。

支撐上述悲觀預期的,是令人瞠目的投資體量。

根據諮詢機構麥肯錫(McKinsey)的預測,到2030年,全球數據中心領域的累計投資規模將達7萬億美元,其中高達5.2萬億美元將專門投向AI數據中心。在如此鉅額資金的持續湧入下,AI相關硬件的需求將長期擠佔消費級產品的產能空間。

美光方面甚至預測,HBM市場規模將在2028年增長至1000億美元,這一體量已與2024年全球DRAM市場的整體規模相當。

由此可見,此輪存儲產能的結構性緊張,影響範圍遠不止DRAM內存條本身,而是已進一步傳導至固態硬盤(SSD)和顯卡(GPU)等領域,正演變為一場覆蓋全品類的硬件漲價潮。

SSD價格大幅上漲

由於NAND閃存同樣面臨產能擠佔及原廠減產策略影響,SSD價格正呈現快速攀升態勢。市場消息稱,三星、SK海力士及SanDisk等主要廠商均計劃在2026年實現NAND芯片價格翻倍。Silicon Motion首席執行官近期亦發出預警,指出硬盤、DRAM、HBM與NAND等產品將在2026年面臨全線供應緊張,這一局面為過去所罕見。

顯卡減產風險顯現

據傳,受制於顯存(VRAM)供應瓶頸,英偉達正考慮在2026年削減最高達40%的遊戲GPU產量。這意味着,未來顯卡不僅價格高企,甚至可能出現長時間缺貨。

綜上來看,對於PC玩家及DIY硬件愛好者而言,未來數年或將是一段難以逾越的「寒冬」。儘管現階段16GB內存容量對於主流遊戲仍基本夠用,但伴隨軟件應用對硬件資源需求的持續提升,用戶未來進行整機升級的門檻與成本無疑將進一步走高。

美國商務部長甚至提議對未承諾在美擴大產能的存儲芯片製造商徵收100%關稅,這一政策若落地,恐將進一步加劇市場波動,形成新的不確定性變量。

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