智通財經APP獲悉，中國銀河證券發布研報稱，三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調，其中NAND閃存供應價格上調超100%，DRAM價格漲幅達60%-70%。本輪存儲漲價核心驅動因素包括：AI服務器對HBM需求爆發、數據中心資本開支加碼、產能結構性調整等，供需缺口持續擴大，預計本輪漲價周期將延續至2026年中。當前時點是存儲芯片賽道下一輪周期新起點，在AI服務器需求高速增長疊加國產替代，看好國內存儲產業鏈相關上市公司投資機遇。

中國銀河證券主要觀點如下：

1月存儲市場延續2025年四季度以來的強勢上漲態勢，DRAM和NAND閃存價格漲幅持續超預期

三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調，其中NAND閃存供應價格上調超100%，DRAM價格漲幅達60%-70%。漲價核心驅動因素包括：AI服務器對HBM需求爆發、數據中心資本開支加碼、產能結構性調整等，供需缺口持續擴大，預計本輪漲價周期將延續至2026年中。目前存儲漲價已對下游產業鏈產生顯著衝擊，消費電子終端廠商面臨成本壓力。根據TrendForce數據，2026年全球智能手機出貨量預計年減2%，筆記本電腦Q1出貨量可能減少14.8%。存儲產品佔手機BOM成本10%-20%，成本上漲將倒逼廠商調整產品結構和定價策略。

台積電25Q4單季度業績大超預期，業績創歷史新高

台積電25Q4實現營收337.3億美元，按年增長25.5%，按月增長1.9%，超出此前322-334億美元的指引區間上限。淨利潤約163億美元，按年增長35%，按月增長11.8%。

毛利率達到62.3%，按年提升3.3個百分點，按月提升2.8個百分點，創歷史新高。營業利潤率54%，淨利率48.3%，均顯著超出市場預期。製程結構優化，先進製程收入佔比達77%，其中3nm製程佔比28%，5nm佔比35%，7nm佔比14%。3nm製程已於2025年Q4進入大規模量產，良率表現良好，成為營收增長的核心引擎。成熟製程收入佔比23%，呈現結構性復甦態勢。

被動元器件與模擬產品價格提升，成本驅動為主因

1月被動元件市場迎來新一輪漲價潮。國巨、風華高科、順絡電子等頭部廠商陸續發布漲價函，漲幅普遍在5%-30%之間。漲價主要受白銀、銅、錫等原材料價格上漲驅動，疊加AI服務器、新能源汽車等高端需求增長。其中，MLCC、電感、電阻等產品價格均有不同程度上漲。ADI、德州儀器等海外巨頭1月宣佈漲價，漲幅10%-30%。國內模擬芯片廠商部分跟進調價。漲價原因包括晶圓代工成本上升、車規級和工業級需求旺盛、8英寸產能緊張等。模擬芯片作為電子系統基礎器件，漲價將傳導至下游多個應用領域。

標的方面

建議關注相關IC設計廠商兆易創新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)、瀾起科技(688008.SH)，以及存儲模組廠商：德明利(001309.SZ)、香農芯創(300475.SZ)、江波龍(301308.SZ)等。同時建議關注AI相關PCB公司，包括勝宏科技(300476.SZ)、滬電股份(002463.SZ)、景旺電子(603228.SH)、科翔股份(300903.SZ)。

風險提示

下游需求不及預期的風險，同業競爭格局加劇的風險，新品研發不及預期的風險，供應鏈轉移導致不確定性增加的風險。