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儘管有觀察認為總部位於美國的 Micron 可能會被排除在 NVIDIA 的首批第六代高帶寬內存 (HBM4) 供應鏈之外，但也有觀點認為 Micron 被排除在早期供應鏈之外的可能性很低，因為 NVIDIA 正在尋求使其 HBM4 市場的供應商多元化。

據半導體分析公司SemiAnalysis和業內人士2月10日透露，分析結果顯示，美光將被排除在NVIDIA首批HBM4供應商名單之外。原因是美光未能滿足NVIDIA對HBM4性能的要求。SemiAnalysis解釋說：「三星電子和SK海力士將接管NVIDIA的供應鏈，而目前美光在性能方面落後於目標規格。」

分析公司估計，SK 海力士將佔英偉達 HBM4 供應量的 70%，三星電子將佔 30%。

HBM4 競爭市場最初預計是三方角逐，但如果美光科技像最近的分析所表明的那樣退出，變成兩方角逐，那麼三星電子和 SK 海力士有望在價格談判桌上獲得更有利的地位。

隨着初始供應商數量日益減少，確保穩定的供貨量成為英偉達的首要任務。在此過程中，三星電子和SK海力士將有空間收取更高的價格。

由於近期對HBM的需求激增，HBM在圖形處理器（GPU）成本中的佔比已升至40%。如果今年HBM4的供應量較小，HBM在GPU成本中的佔比可能會進一步超過40%。

以三星電子為例，該公司採用垂直堆疊的「1c DRAM」技術生產HBM4，這項尖端產品領先於競爭對手，其盈利能力提升幅度也備受關注。這是因為與現有的「1b DRAM」相比，「1c DRAM」採用了更精細的工藝，因此製造成本更高。

因此，三星電子面臨着在與英偉達的談判中大幅提高 HBM4 供應價格以抵消製造成本的挑戰。

然而，也有觀察表明，美光被排除在初始供應鏈之外的可能性很低，因為英偉達正在尋求使其在 HBM4 市場的供應商多元化。

瑞穗證券在一份報告中評估道：「認為美光將被英偉達的HBM4供應鏈剔除的說法是愚蠢的。」

與此同時，NVIDIA 近期開始招募高級內存工藝工程師，其目的之一是提高 HBM（高帶寬內存）的良率。這似乎是基於內存廠商對性能優化至關重要的考量，因為計劃於今年下半年量產的下一代人工智能（AI）超級芯片 Vera Rubin，其單顆芯片所採用的 HBM4（第六代高帶寬內存）數量將是現有 GPU（圖形處理器）的數十倍。不僅三星電子將在春節假期後開始為 NVIDIA 量產 HBM4，SK 海力士似乎也計劃於下個月開始出貨。

這表明英偉達有意深度參與內存供應商三星電子和SK海力士的生產線流程。其目標是與供應商共享HBM良率管理數據，識別降低良率的薄弱環節，並共同改進大規模生產和性能穩定性。

此外，報告還解釋說，與內存供應商密切合作對於提升數據中心ATE（自動測試設備）和系統層面的性能、良率和可靠性至關重要。具體而言，當兩家公司的HBM內存安裝在NVIDIA的AI芯片中時，通過檢查其性能和散熱情況，識別錯誤模式並檢測缺陷產品，可以提高整體良率。

此外，從這份招聘信息來看，三星電子和SK海力士的HBM4芯片即將出貨。據業內人士透露，三星電子預計將在本月第三周，也就是農曆新年假期結束後開始批量生產HBM4芯片並出貨。SK海力士在最近的一次非交易路演（NDR）上也表示：「我們將在今年第一季度開始向客戶供貨。」這意味着最遲下個月就會開始出貨。

產能預計也將擴大。據報道，三星電子計劃在明年第一季度前，在其平澤工廠4號線（P4）新增一條月產能為10萬至12萬片晶圓的1c DRAM生產線。SK海力士則計劃在清州建設一條專用的HBM 1b DRAM生產線（M15x），確保月產能達到8萬至9萬片晶圓。

HBM 4，拼什麼？

由於三星電子和 SK 海力士幾乎成為英偉達下一代 AI 加速器中高帶寬內存 4 (HBM4) 的唯一供應商，業內人士和業外人士對供應「份額」和「第一」的說法仍然存在分歧。

據業內人士2月9日透露，三星電子和SK海力士正在協調其HBM4的出貨計劃，以配合英偉達下一代AI加速器「Vera Rubin」的發布計劃。英偉達預計將於下個月的GTC 2026技術大會上首次發布其下一代AI加速器「Vera Rubin」。

Vera Rubin 將中央處理器 (CPU)「Vera」和圖形處理器 (GPU)「Rubin」集成於單一系統中，與現有的基於 Blackwell 的產品相比，其推理性能顯著提升。由於其設計目標是運行大規模 AI 模型，因此超高帶寬內存 HBM4 幾乎是必不可少的。

據報道，三星電子計劃本月率先向客戶交付HBM4顯存。該公司強調其技術競爭力，並指出該產品擁有業界領先的運行速度（11.7Gbps）和質量驗證。然而，業內人士對此次交付的時間、數量和意義仍存在分歧。

SK海力士也正按照與客戶商定的計劃，準備進行HBM4的量產。該公司在去年第四季度財報電話會議上表示：「我們正按計劃，根據客戶需求推進量產。」儘管市場觀察人士指出SK海力士在初始產量方面具有相對優勢，但具體數字尚未得到官方確認。

在供應量份額分析方面，仍然存在諸多混亂。業內有消息稱，英偉達去年底已初步分配了HBM4的供應量給三星電子、SK海力士和美光——SK海力士佔比約為50%，三星電子約為20%，美光約為20%。然而，半導體分析公司SemiAnalysis在最近的一份報告中指出，「SK海力士的HBM4供應份額約為70%，三星電子約為30%。」至於美光，目前存在兩種觀點：一種認為其在HBM4供應鏈中的份額正在減弱，另一種則認為這種可能性尚未完全排除。

關於兩家公司在HBM供應方面誰領先，各方爭論不休，而業界的關注點也轉向了誰能率先完成準備工作。鑑於韓國半導體公司已在HBM4競爭中佔據優勢，分析認為，重點應該放在長期供應穩定性和產能上。

隨着各方逐漸達成共識，認為穩定的供應是關鍵所在，兩家公司都在認真檢查各自的生產線，並為下一步行動做準備。三星電子計劃在其平澤園區的P4廠房建立一條10納米第六代（1c）DRAM生產線，並於明年第一季度全面投產。此舉旨在確保每月10萬至12萬片晶圓的產能，以提前應對不斷增長的HBM4需求。這項投資被解讀為三星為快速提升產能以應對激增的需求而做出的努力。

SK海力士正在加速量產將用於HBM4芯片的10納米第五代（1b）DRAM。公司正在商討分階段擴大產能的計劃，包括擴建清州M15x晶圓廠和對M16晶圓廠進行工藝改造。據業內人士透露，SK海力士計劃在年底前確保M15x晶圓廠每月新增約4萬片晶圓的產能。

（來源：編譯自businesskorea）