SK海力士開發新技術降低NAND製造成本;三星研發3D堆疊結構HBM;英特爾ZAM內存單片容量達512GB

閃存市場
02/11

【熱點速讀】1、消息稱SK海力士正開發新技術AIP以降低NAND製造成本2、三星電子:正在開發 zHBM,其核心是將HBM堆疊成 3D 結構3、英特爾首次展示ZAM內存原型:功耗降低一半,單片容量可達512GB4、聯發科:1月營收按年、按月均下降超8%,Q1手機業務營收將明顯下滑5、2月上旬韓國半導體出口按年增長137.6%,達67.3億美元1、消息稱SK海力士正開發新技術AIP以降低NAND製造...

網頁鏈接

免責聲明:投資有風險,本文並非投資建議,以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請,作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考,不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證,投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。

熱議股票

  1. 1
     
     
     
     
  2. 2
     
     
     
     
  3. 3
     
     
     
     
  4. 4
     
     
     
     
  5. 5
     
     
     
     
  6. 6
     
     
     
     
  7. 7
     
     
     
     
  8. 8
     
     
     
     
  9. 9
     
     
     
     
  10. 10