近日，有市場消息稱，士蘭微、英飛凌、華潤微等廠商紛紛向客戶發布產品漲價通知函，多家企業集中調價引發行業廣泛關注。截至目前，國內外已有多家功率半導體企業明確發布漲價通知或官宣調價計劃，涵蓋國際大廠與國內本土企業。
其中，士蘭微在漲價函中明確，受全球金屬市場波動影響，芯片關鍵貴金屬價格大幅上漲，疊加晶圓製造成本持續攀升，公司內部降本措施已無法完全覆蓋成本壓力，因此決定對相關產品價格進行調整。
士蘭微本次漲價將於2026年3月1日正式生效，涉及小信號二極管/三極管芯片、溝槽TMBS芯片、MOS類芯片等多款功率器件產品，統一漲價幅度為10%。
同日，德國半導體巨頭英飛凌也發布漲價通知，宣佈自2026年4月1日起，上調部分功率開關器件及集成電路（IC）產品價格。
英飛凌在函中解釋，此次漲價主要源於兩大因素：一是受人工智能數據中心大規模建設與部署的驅動，市場對公司多款功率開關與IC產品需求大幅激增，導致相關產品供應持續喫緊；二是為滿足持續增長的市場需求，公司需追加鉅額投資以擴充晶圓廠產能，同時面臨原材料與基礎設施成本的顯著上升。
稍早之前，華潤微電子也正式發布價格調整通知函，明確自2026年2月1日起，對公司全系列微電子產品啓動價格上調，上調幅度最低為10%。
華潤微表示，全球半導體產業鏈上游原材料及關鍵貴金屬價格持續大幅攀升，直接導致公司晶圓製造成本與封測成本顯著上升。
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成本承壓與需求驅動成漲價核心原因
近期全球功率半導體企業接連漲價，並非偶然，而是行業供需格局、成本壓力及產業鏈傳導共同作用的結果，其漲價邏輯與功率半導體產業鏈的特性深度綁定。
從漲價核心成因來看，首要驅動力是成本端的持續承壓，這也是貫穿全產業鏈的共性因素。
一方面，大宗商品價格上漲直接推高生產成本，如羅姆提及的金價上漲、芯控源強調的原材料漲價，以及封裝環節中銅、鋁等金屬材料價格攀升，其中封裝成本在中小功率器件總成本中佔比高達70%-80%，受衝擊顯著。
另一方面，晶圓代工產能緊張推高代工成本，台積電、三星等頭部晶圓廠逐步退出8英寸晶圓成熟製程，中芯國際、華虹等國內代工企業則將更多產能傾斜至存儲芯片，導致功率器件代工資源緊張，市場化定價水漲船高，進一步疊加了企業的成本壓力。
其次，需求端的結構性增長為漲價提供了支撐。
隨着AI數據中心、新能源車、儲能、工業控制等下游領域的快速發展，功率半導體的市場需求持續攀升，尤其是AI服務器的爆發式增長，成為重要的需求增量。
傳統服務器電源功率約800W，而AI服務器已普遍採用5.5kW電源，並向12kW演進。據行業信息，單台服務器的功率器件價值從6-7美元躍升至30-50美元，提升近5倍，直接帶動功率開關、電源管理芯片等產品的需求激增，部分型號甚至出現缺貨現象，為企業漲價提供了市場基礎。
同時，汽車電子、儲能領域的持續發展，也進一步放大了功率半導體的需求缺口，支撐價格上行。
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漲價聯動，第三代半導體迎發展新契機
進一步分析來看，對第三代半導體來說，功率半導體大廠的漲價也會對其產生深遠且多維的影響。
目前第三代半導體普及的最大障礙是其高於傳統硅基（Si）器件的單體成本。當英飛凌、TI等巨頭提高傳統硅基功率器件（如IGBT、MOSFET）的價格時，原本低廉的硅基產品與昂貴的SiC/GaN之間的價格差距會相應縮小。
那麼對於下游客戶（如新能源車企、服務器廠商）而言，如果硅基器件漲價，而第三代半導體通過規模化生產正在降價，因此切換到高性能SiC/GaN的系統級性價比將大幅提升，有望加速市場從第一代向第三代半導體切換。
其次，功率半導體廠商的漲價也會促使下游企業重新審視成本結構。
雖然SiC器件本身較貴，但由於其耐高溫、高壓的特性，可以顯著減小散熱器和被動元件的體積。當傳統功率器件漲價時，車企或將傾向於使用SiC，通過減輕車重、縮減電池包容量，以抵消芯片端的漲價壓力。
而在AI服務器電源市場，傳統硅基電源漲價會促使廠商轉向效率更高的GaN方案，以通過降低PUE（能耗指標）和減少電費開支來實現長期運營成本的降低。
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結 語
綜上，以英飛凌為主的功率半導體漲價潮，並非單一企業的成本轉嫁行為，而是行業供需失衡、成本攀升、技術迭代多重因素共振的必然結果，更是全球功率半導體產業進入結構調整期的重要信號。
從長期來看，此次漲價潮不僅加速了硅基功率半導體的國產替代進程，更成為第三代半導體突破成本瓶頸、實現規模化應用的重要催化劑，推動行業向高效、節能、小型化的高端領域轉型。