IT之家 2 月 18 日消息，羣聯電子（Phison）首席執行官潘健成（K.S. Pua）警告稱，DRAM 內存和 NAND 閃存短缺問題的嚴重程度遠超市場預期，且因結構性轉變持續至 2030 年以後。

潘健成指出目前晶圓廠處於絕對的賣方市場地位，甚至提出了史無前例的付款條件：客戶需預付未來 3 年的產能款項。行業內部估算顯示，這一供應短缺局面將至少持續到 2030 年，甚至可能長達十年且看不到盡頭。

潘健成預測，從 2025 年底到 2026 年，許多公司將因無法確保足夠的內存供應，而被迫停產或退出產品線。

到 2026 年下半年，大量低利潤品牌將倒閉離場，低端產品將從市場上徹底消失，從而形成市場真空，直到供應恢復後市場增長才會再次爆發。

潘健成特別提到，英偉達下一代 Vera Rubin AI 基礎設施及其 ICMS 平台對存儲規格要求極高，單這一產品線就可能吞噬超過 20% 的全球 NAND 產量。業界目前尚未完全將這種巨大的企業級需求計算在內，一旦需求爆發，將進一步擠壓消費級市場的生存空間。

潘健成強調，由於 AI 對 DRAM 的巨大需求，許多消費細分市場將被破壞甚至徹底摧毀，行業正進入一個充滿不確定性的深度調整期。