英特爾正在加快重返先進製程領導地位的節奏。

最新消息顯示，公司已經在美國俄勒岡州的D1X工廠啓動了1.4納米級「14A」工藝的初步試運行。

這也是業內首次把 ASML的下一代 High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）真正導入到商業生產線，被外界視為英特爾衝刺2027年量產目標的重要一步。

從技術層面來看，14A相比現有的18A工藝，預計每瓦性能可以提升約15%。

這次升級的核心在於兩項關鍵技術：第二代RibbonFET全環繞柵極（GAA）晶體管，以及第二代後置電源網絡（BSPDN）技術「PowerDirect」。

簡單來說，PowerDirect是把電源更直接地接到晶體管上，減少電壓損耗，讓時鐘效率更高、能效更好。

這意味着英特爾不僅是在「縮尺寸」，而是在晶體管結構和供電方式上做了一次比較大的架構優化。

目前，英特爾已經在俄勒岡工廠部署了兩台High NA EUV設備，主要用於研發驗證和工藝穩定。更關鍵的是，公司今年早些時候已經開始向客戶發放14A的工藝設計套件（PDK），並且據說已經拿到多家外部客戶的興趣訂單。這說明

英特爾 的代工業務（Intel Foundry）正在真正進入對外接單、為量產做準備的階段，而不再只是內部自用。

行業普遍認為，今年會是英特爾代工業務的一個關鍵轉折點。和台積電計劃在2028年前後用現有低NA EUV推進1.4納米（A14）量產不同，英特爾選擇提前押注更先進的High NA EUV設備，希望通過「設備代差」拉開技術距離。

當然，這條路也不輕鬆——一台High NA EUV的價格高達約4億美元，前期良率爬坡和成本攤銷壓力都非常大。

說白了，英特爾這次是在下一盤大棋。14A不僅僅是一個新節點，更是一場豪賭：賭技術領先能換來訂單和市場信心。

接下來真正決定勝負的，不是實驗室數據，而是量產良率和客戶規模。如果14A順利落地，英特爾的代工業務確實有機會迎來一次真正的翻身仗。

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