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（來源：愛集微）
當全球的目光聚焦於AI算力競賽與HBM（高帶寬內存）的軍備競賽時，一個更為龐大且基礎性的存儲市場，正悄然迎來由人工智能驅動的結構性變革。它不再是僅僅為智能手機和PC擴容的配角，而是正在成為支撐海量AI數據存儲與高速推理的關鍵基礎設施——這就是NAND閃存市場。
愛集微VIP頻道近日上線由摩根大通（J.P． Morgan）發布的《全球NAND閃存市場深度解析：演進、創新與未來展望》，本報告系統剖析了NAND產業未來三年的關鍵轉折，明確指出：得益於企業級SSD（eSSD）在AI推理場景中的爆發式需求，NAND市場規模增速將迎來歷史性躍升，一個由技術、供需與資本紀律共同驅動的新周期已然開啓。
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核心洞察：從消費電子到AI基礎設施的價值重估
一、市場動態：TAM增速歷史性躍升，AI成為核心引擎
報告指出，過去25年，受消費電子市場成熟影響，NAND位元需求增長放緩。然而，未來三年將迎來根本性轉折：全球NAND市場規模（TAM）的年複合增長率（CAGR）將從長期平均的10%躍升至30%以上。
這一飛躍的核心驅動力，正是人工智能。NAND閃存通過企業級SSD（eSSD），在AI推理中扮演了至關重要的角色，用於KV緩存卸載、上下文存儲等關鍵場景，完美彌補了HBM容量有限、成本高昂的短板。
-數據印證：2024年eSSD出貨量按年激增86%，創2012年以來新高。預計到2028年，eSSD的位元需求佔比將飆升至53%，總量達到驚人的900EB。
-協同效應：傳統HDD（機械硬盤）的供應緊張，進一步加速了高密度QLC SSD在近線存儲領域的滲透，形成SSD與HDD優勢互補的新格局。
二、供需與價格：強資本紀律遇上強需求，漲價周期明確
與需求爆發形成鮮明對比的是，供給端表現出前所未有的「資本支出紀律」。
-供應剋制：2025-2027年，NAND行業的平均資本密集度僅為16%，遠低於DRAM的26%。主要廠商策略聚焦於技術升級而非激進擴產，產能增長受限。
-價格強勢反彈：經歷2022-2023年的深度下行後，市場在頭部廠商減產下迅速出清。自2025年中觸底後，NAND價格開啓暴力反彈。例如，512GB TLC晶圓現貨價在半年內從2.7美元飆升至15美元，漲幅達5.5倍。
-未來展望：報告預測，2026年NAND行業平均售價（ASP）將增長40%。儘管2027年整體ASP可能微調，但企業級服務器用的高價值NAND產品仍有充足的漲價空間。
三、技術創新：3D堆疊深水競賽與下一代HBF曙光
技術是驅動NAND成本下降、性能提升的根本。當前競爭焦點在於：
-層數競賽白熱化：行業主流已進入176層以上，三星、SK海力士、鎧俠/西部數據聯盟均在向300層以上邁進，以滿足AI數據中心對高密度存儲的渴求。
-架構革命：鎧俠的CMOS直接鍵合陣列（CBA）等混合鍵合技術，通過突破傳統架構限制，實現了性能與密度的雙重飛躍。
-未來變量——高帶寬閃存（HBF）：由閃迪（SanDisk）提出的HBF技術，被視為可能改變遊戲規則的長期變量。它旨在通過TSV技術堆疊NAND裸片，兼具大容量與高帶寬，成本低於HBM，有望成為AI推理的新型存儲方案，預計最早2028年商用。
四、競爭格局與投資脈絡：寡頭市場中的贏家
NAND市場呈現高度集中的寡頭格局，三星、鎧俠、SK海力士三大巨頭合計佔據約80%份額。
-差異化競爭：SK海力士（含Solidigm）在QLC eSSD領先；三星和鎧俠主導TLC eSSD市場；美光以高堆疊層數產品競爭密度優勢。
-服務器賽道是關鍵：各廠商正全力提升服務器業務佔比。其中，鎧俠（Kioxia）被摩根大通列為首選推薦（Overweight評級），因其服務器業務佔比提升潛力最為顯著，將充分受益於行業上行周期。
報告核心結論：一個新時代的開啓
摩根大通報告的核心結論清晰而有力：NAND閃存市場正處於從消費電子驅動向AI與企業級存儲驅動的歷史性轉型拐點。
在技術上，3D堆疊與架構創新持續突破物理極限；在供需上，嚴格的資本紀律與爆發的AI需求形成共振，驅動價格與盈利能力的長期修復；在競爭上，擁有技術、產能與客戶卡位優勢的頭部廠商將最大程度分享行業紅利。
未來三年，超過30%的複合增長並非曇花一現，它標誌着NAND作為AI時代核心數據存儲介質的價值獲得重估，一個屬於NAND產業的「黃金時代」正在到來。
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責任編輯：尉旖涵