功率半導體行業正迎來新一輪漲價潮。日前，國產功率半導體企業無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱「新潔能」）發布價格調整通知，宣佈對MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）產品漲價10%起，自3月1日起發貨生效。

　　而在此前，已有英飛凌科技公司、杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱「士蘭微」）、江蘇宏微科技股份有限公司等多家國內外龍頭企業相繼發布產品調價通知，漲幅普遍在10%到20%之間，部分產品甚至更高。

　　「功率半導體企業此輪漲價，主要是成本壓力加劇與AI驅動的結構性需求爆發共同推動的結果。」上海濟懋資產管理有限公司合夥人丁炳中在接受《證券日報》記者採訪時表示。

　　對於此次產品漲價，新潔能表示，近期全球上游原材料及關鍵貴金屬價格大幅攀升，導致其晶圓代工成本與封測成本持續上漲，目前已無法獨自承擔持續增加的綜合成本。為保障公司可持續運營，確保產品穩定供應及保障服務質量，經慎重研究，決定對產品價格進行適度調整。

　　據悉，銅、鋁、鈀、銀等金屬是半導體封裝的核心材料，其價格自2025年以來出現顯著上漲，直接推高了生產成本。尤其是在中小功率器件中，封裝成本佔比高達50%以上，部分產品甚至達到70%至80%，成本壓力直接傳導至終端產品定價。

　　「此輪漲價並非短期行為，或將貫穿2026年全年甚至更久。」丁炳中分析稱，貴金屬供需緊張格局短期內難以逆轉，原材料成本仍將維持高位。同時，AI基礎設施建設仍處在投入高峯期，AI算力需求將持續拉動電源系統升級，對功率器件的需求強勁。

　　「AI服務器單機功率已從傳統服務器的數千瓦飆升至數十千瓦甚至兆瓦級，直接拉動了對功率半導體的海量需求。」萬聯證券投資顧問屈放在接受《證券日報》記者採訪時表示，從產能上講，擴建晶圓廠、調整產線結構需要一定的周期，短期內無法快速釋放產能填補缺口。

　　東海證券研報認為，AI基礎設施建設仍處於大規模投入階段，海外四大CSP（芯片級封裝）廠商資本開支按年高增，預計未來對算力的需求將爆發式增長；全球半導體行業2025年銷售額創歷史新高，漲價潮正從存儲芯片蔓延至功率、模擬、MCU（微控制器）等非存儲領域。

　　在業內人士看來，此次漲價潮中，產業鏈結構性分化的情況將加劇。「上游材料與設備商直接受益於漲價潮，如環氧塑封料、貴金屬供應商及半導體設備廠商將迎來訂單增長。」屈放表示，對於中游的設計與製造企業來說，頭部廠商如英飛凌、士蘭微、新潔能等可通過漲價改善毛利率，但中小廠商或許將上下承壓。

　　屈放認為，此輪漲價也將推動以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體加速滲透。

　　「當硅基器件漲價而SiC通過規模化生產逐步降價時，其相對成本差距縮小，切換經濟性增強。目前比亞迪、蔚來等品牌的高端車型中已批量採用SiC電驅系統，預計2026年國內新能源車SiC滲透率有望突破15%。」屈放表示，在第三代半導體領域，國產企業正加速追趕，將打破海外巨頭的壟斷格局。

　　士蘭微近期在投資者互動平台上表示，2025年，士蘭微繼續推進「士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線」項目的建設，截至目前，已形成月產10000片6吋SiC-MOSFET芯片的生產能力；「士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產線」項目已於2025年底實現通線。

　　華潤微電子有限公司在最近的投資者調研活動中透露了其在第三代半導體領域的進展及未來方向：碳化硅方面，2025年相關產線基本實現滿產，最新一代MOS G4產品已推向市場，並獲得各行業標杆客戶的認可與批量使用，主驅模塊已實現批量上車。在氮化鎵方面，外延中心正式啓用，產能擴產有序推進，並正加快向更大規模爬坡。2026年，該公司將繼續加快新一代產品研發，重點拓展車規、數據中心、無人機、風光儲能等高景氣賽道，預計第三代半導體業務將保持強勁增長態勢，有望實現營收規模翻倍以上的提升。

（文章來源：證券日報）