智通財經APP獲悉，中國銀河證券發布研報稱，2026年國內外AI基礎設施建設仍將繼續保持強勁，同時國內堅定推進國產化率提升，因此繼續看好半導體及相關器件元件投資機會，包括國產算力芯片、存儲芯片漲價大周期、PCB、半導體制造和裝備、先進封裝、以及半導體材料方向。

中國銀河證券主要觀點如下：

行業數據跟蹤：1)半導體：2025年12月，全球半導體行業實現789億美元的銷售額，按月增長2.7%，按年增長37.1%。從2025年半導體行業的整體表現來看，全球半導體銷售額再創新高，按年增長25.6%至7917億美元。從區域表現來看，除日本半導體行業銷售額按年下降外(-4.7%)，其餘國家和地區均實現了半導體銷售額的按年增長。2)半導體設備：SEMI預測，2025年全球OEM的半導體制造設備銷售額將創歷史新高，按年增長13.7%至1330億美元，2026和2027年也將繼續保持增長。2025年受益於先進封裝的持續滲透，半導體後道設備的市場表現相對卓越，測試設備市場銷售額和封裝設備銷售額分別預計增長48.1%和19.6%。3)存儲：受AI需求爆發和供給瓶頸的雙重影響，存儲價格整體呈上行走勢。其中，DRAM作為AI服務器的核心環節，價格上漲幅度更為顯著。從需求端看，AI服務器所需的HBM市場火熱。從供給端看，DRAM廠商將大量產線用於生產HBM，導致DDR4等標準型DRAM產能緊缺。在供需剪刀差的催化下，DRAM價格上行趨勢顯著，預計存儲芯片價格漲勢將貫穿全年。

行業新聞：1)存儲需求旺盛：SK海力士的DRAM和NAND庫存已降至約四周的供應量。半導體大廠力積電公告決議通過與全球存儲器大廠美光科技及其全球子公司與關聯公司簽署一系列具備高度戰略意義的合約，確立了雙方將建立長期的DRAM先進封裝晶圓代工關係。2)尖端技術再突破：阿斯麥(ASML)的研究人員表示，他們已找到提升關鍵芯片製造設備光源功率的方法，到2030年可將芯片產量提高多達50%。SK海力士近日公布了一種以高帶寬閃存為核心的H3架構概念。所謂「H3」，即混合架構(Hybrid HBM+HBF Architecture)，將高帶寬內存(HBM)整合於同一設計中。

板塊跟蹤：1)近一個月半導體指數表現：從升跌幅水平來看，半導體行業指數跑輸滬深300指數3.86個百分點，跑輸電子指數1.44個百分點。從具體數據來看，半導體行業指數升跌幅為-3.15%，電子行業指數升跌幅為-1.71%，滬深300指數升跌幅為0.71%。2)近一年半導體指數表現：從升跌幅水平來看，半導體行業指數跑贏滬深300指數27.08個百分點，跑贏電子指數1.22個百分點。從具體數據來看，半導體行業指數升跌幅為46.38%，電子行業指數升跌幅為45.16%，滬深300指數升跌幅為19.3%。

風險提示：技術迭代不及預期的風險；國際貿易的風險；市場競爭加劇的風險；國際政治環境變動不確定性的風險。