近期，「行家說三代半」發現，羅姆、台積電、EPC、瑞薩電子、漢驊半導體、等多家企業，在氮化鎵功率半導體領域相繼披露了重要合作與戰略進展。

羅姆&台積電：雙方深化合作，助力羅姆構建端到端的氮化鎵生產體系；

EPC&瑞薩電子：達成全面的氮化鎵技術授權協議;

漢驊半導體：發布12英寸GaN外延，並與下游功率器件頭部企業達成合作。

羅姆&台積電：

深化技術合作，構建端到端GaN生產體系

2月26日，羅姆宣佈與台積電達成進一步深度合作，雙方將實現技術優勢互補，把羅姆在氮化鎵功率器件領域的研發、製造技術與台積電的先進工藝技術相結合，在羅姆集團內部搭建端到端的完整生產體系。

根據雙方新近簽署的許可協議，台積電將向羅姆濱松轉讓工藝技術，羅姆濱松計劃於2027年正式建立生產體系，重點滿足人工智能服務器和電動汽車等領域對氮化鎵器件日益增長的市場需求。此次技術整合與轉讓，標誌着羅姆與台積電的合作關係進入全新深化階段。

值得注意的是，技術轉讓完成後，羅姆和台積電將友好終止雙方在汽車氮化鎵領域的合作關係，但這並不影響雙方的長期協同，雙方將繼續加強合作，聚焦更高效率、更緊湊的電源系統研發，持續推動氮化鎵技術的迭代升級。

此外，除台積電外，羅姆還與英偉達、村田、科索等行業龍頭達成深度合作，將氮化鎵、EcoSiC™ 等產品落地於45W AC適配器、AI 服務器等核心場景，通過多方協同加速高壓技術規模化應用。

EPC&瑞薩電子:

達成氮化鎵技術授權協議

2月19日，EPC宣佈與瑞薩電子達成一項全面的技術授權協議。

根據協議，瑞薩電子將取得EPC成熟的低壓eGaN技術，及其完善的供應鏈生態，從而加速高性能氮化鎵解決方案在市場中的應用。此外，雙方將在未來一年內合作建立這些產品的晶圓製造能力。瑞薩電子還將作為第二貨源供應商，生產EPC已量產的多款熱門氮化鎵器件，增強客戶供應鏈的穩定性與韌性。

通過此次合作，藉助EPC在低壓eGaN領域的專業技術積累，瑞薩電子將進一步豐富自身產品佈局，有望打造業界最全面的氮化鎵功率產品組合之一，實現從低壓到高壓應用場景的全面覆蓋，持續推動氮化鎵技術革命。

瑞薩電子氮化鎵事業部副總裁Rohan Samsi 表示：與 EPC 達成的這項協議，與其既有的 650V 以上高壓產品組合形成互補，使他們能夠抓住高需求市場的機遇。

事實上，近年來瑞薩電子一直在持續佈局氮化鎵領域：

2024年6月：完成了對D-mode氮化鎵代表性企業Transphorm的收購；

2025年4月：與美國Polar Semiconductor達成戰略協議，宣佈將在Polar的美國8英寸車規級量產工廠生產硅基氮化鎵器件；

2025年中旬：陸續推出3款650V氮化鎵器件，並計劃在年底推出低壓E-mode氮化鎵產品系列，耐壓等級覆蓋65V至150V，重點瞄準服務器電源等DC-DC同步整流拓撲電路；

2025年10月：與奧海科技聯合成立的「聯合創新實驗室」正式揭牌，聚焦高功率服務器電源等。

漢驊半導體：

發布12吋GaN外延

2月25日，蘇州漢驊半導體正式發布12英寸硅基氮化鎵功率外延產品，並與下游知名功率器件廠商達成深度戰略合作。

據介紹，蘇州漢驊半導體與下游功率器件頭部企業將聚焦高效電源、伺服驅動、車載等場景展開聯合開發與性能優化，同時共同推進面向工業自動化、機器人等高端裝備領域的系統級解決方案。雙方旨在構建覆蓋「外延—器件—模組—系統」的完整產業鏈生態，推動GaN功率器件在關鍵領域的規模化應用，助力我國功率半導體產業鏈的自主可控與高質量發展。

值得關注的是，早在2022年9月，蘇州漢驊半導體就完成了數億元B輪孖展，部分募集資金將用於生產硅基氮化鎵電子電力外延產品，為本次技術突破奠定了基礎。

資料顯示，蘇州漢驊半導體成立於2017年11月，致力於化合物半導體核心材料的研發及產業化；其硅基氮化鎵電力電子外延產品覆蓋了增強型外延和耗盡型外延全應用領域，適用於30伏至900伏，並廣泛應用於快充、無人機、數據中心等領域。

本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。

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