【芯聞前沿】突發!存儲大廠DDR5內存顆粒再漲 40%

物理微電子前沿...
03/04

一、SK 海力士突發通知:DDR5 內存顆粒漲價 40%

據台媒及行業媒體報道,原本業內普遍預計內存漲價趨勢將暫時告一段落,但存儲巨頭SK 海力士(SK hynix)突然向客戶發出價格調整通知稱,2026 年第二季度 DDR5 內存顆粒將上調約 40%。受此消息影響,部分內存模組廠商甚至已暫時停止對外報價,以等待更明確的價格走向。業內驚呼這一波漲價力度遠超多數廠商預期。

業內分析認為,這輪 DDR5 調價反映出 DRAM 市場供需關係的深刻變化,而不僅是短期庫存波動,對整個 PC、服務器及消費電子行業都有顯著影響。

二、全球內存市場結構性供需失衡加劇

內存價格上揚並非孤立事件。據多家媒體報道,全球 DRAM 市場已進入結構性供需失衡階段三星電子、SK 海力士和美光等三大廠商當前產能仍無法滿足市場需求,而消費端 DRAM 供應滿足率已低於 60%。這使得 DRAM 市場從買方市場轉向賣方市場,內存芯片價格持續走高。

數據還顯示,DDR5 和其它主流 DRAM 產品價格比去年同期大幅上漲,部分規格漲幅已接近 10 倍,Gartner 預測今年 DRAM 和 NAND 價格預計將比去年年底上漲約 130%。

三、AI 需求推動內存漲價成為「新常態」

導致上述內存價格飆升的核心因素,是人工智能(AI)相關基礎設施建設的爆發式增長。AI 大規模訓練與推理所需的大容量、高帶寬內存在過去一年內快速吸乾全球 DRAM 產能。許多分析認為,AI 大模型對內存的需求已從實驗室擴展到雲數據中心、企業級服務器等領域,使得 DRAM 產能重新分配,傳統消費類內存被擠向供應鏈邊緣。

在這種市場結構下,即便傳統 PC 和筆電市場的內存需求常態化增長,但供應端更傾向優先滿足 AI 與高階數據中心等利潤更高的領域,因此導致消費級 DDR5 內存價格繼續攀升。

四、漲價傳導至終端產品:PC、手機等成本全面上升

內存價格暴漲的影響已開始傳導到終端產品層面。近期已有新聞指出由於存儲成本飆升,筆電廠商、PC OEM 廠調整產品定價策略甚至提升終端售價,以緩衝上游成本壓力。這說明內存漲價不僅限於芯片行業內部,而是逐漸對全球消費電子價值鏈產生實質性波動。

此外,行業報告還預測高內存成本將影響 PC 出貨量,並可能促使廠商重新權衡配置與成本之間的平衡,從中高端市場轉向更高利潤率產品。

五、內存市場或進入「超級牛市」階段

不少業內分析機構認為,當前內存漲價不僅是短期供需錯配,而可能意味着DRAM 與 NAND 市場進入「超級周期」。歷史數據顯示,當供應長期緊張且需求持續增長時,市場會出現長達數年甚至更久的價格上漲周期。

特別是在 AI 相關需求不斷推高 HBM 與 DDR5 內存的總體缺口時,內存價格大幅上漲可能持續數個季度甚至更長時間。這對存儲芯片廠商而言是機會,但對下游終端廠商和消費者則是沉重成本壓力。

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