日本半導體廠商ROHM半導體近日宣佈，將其自身開發的氮化鎵（GaN）功率器件技術與長期合作伙伴——台灣晶圓代工廠台積電（TSMC）的製程技術進行深度整合，在ROHM集團內部構建從設計到量產的完整端到端生產體系。

通過授權使用台積電的GaN製程技術，ROHM旨在顯著提升供應能力，以應對AI服務器、電動汽車（EV）等領域對GaN功率器件的快速增長需求。GaN功率器件憑藉優異的高壓和高頻性能，能夠大幅提高系統效率並縮小體積，已廣泛應用於消費電子領域的AC適配器。目前，其應用正加速擴展至高壓場景，如AI服務器電源單元和電動汽車車載充電器，市場需求預計將持續強勁增長。

ROHM在GaN領域起步較早，2022年3月已在ROHM濱松工廠（Hamamatsu）建立150V GaN量產體系。在中功率領域，ROHM一方面強化自有供應結構，另一方面積極推進外部合作，其中台積電是核心夥伴。2023年，ROHM採用台積電650V GaN製程；2024年12月，雙方進一步簽署汽車級GaN合作協議，合作關係持續深化。

此次最新動作標誌着雙方合作的進階。根據新簽訂的授權協議，台積電將把相關GaN製程技術轉移至ROHM濱松工廠。ROHM計劃於2027年完成生產線建設，以滿足AI服務器等高端應用不斷擴大的需求。技術轉移完成後，雙方原有的汽車級GaN特定合作將正式結束，但ROHM與台積電將繼續在更高效率、更緊湊型電源系統開發上保持緊密協作。這一舉措不僅強化了ROHM在寬禁帶半導體領域的垂直整合能力，也為全球功率器件供應鏈注入新活力。ROHM近期動態與戰略佈局

ROHM近期的動態與佈局聚焦於寬禁帶功率半導體（SiC與GaN雙輪驅動）、汽車級產品升級、集團製造重組以及新興市場拓展，旨在牢牢把握AI服務器、電動汽車、工業設備等高增長賽道。截至2026年2月底，其戰略執行呈現出穩健且加速的態勢。

2026年2月最新重點動作

2月26日，ROHM與台積電簽訂GaN製程技術授權協議，標誌着濱松工廠GaN生產體系建設正式啓動，目標2027年實現量產。該動作直接響應AI服務器和電動汽車高壓GaN需求的爆發式增長。

同日，ROHM宣佈TRCDRIVE pack™、HSDIP20、DOT-247等新型SiC功率模塊全面啓動在線銷售。這些模塊採用第4代SiC MOSFET，功率密度較傳統產品提升1.5倍，特別適合300kW以下電動汽車牽引逆變器及工業應用。

2月18日，ROHM推出HPLF5060小型高可靠性封裝（4.9×6.0mm）的40V/60V汽車級MOSFET系列，並計劃2026年2月前後量產更小型的DFN3333封裝（帶可潤溼側翼技術），進一步完善汽車電子產品陣容。

2025下半年至2026年初重要佈局

2025年12月22日，ROHM與印度塔塔電子（Tata Electronics）達成戰略合作，在印度共建功率半導體制造框架，結合ROHM的器件技術與塔塔的製造生態，服務印度及全球市場，此舉是ROHM供應鏈區域多元化的關鍵一步。

2025年12月，ROHM SCT40xxDLL系列SiC MOSFET（TOLL封裝）實現量產，該系列導通電阻13mΩ～65mΩ，熱性能較傳統TO-263-7L提升約39%，廣泛適用於服務器電源與儲能系統（ESS）。

2025年10月，ROHM啓動集團製造重組，將滋賀工廠及多家國內子公司重組為「前工程製造公司」和「後工程製造公司」兩個獨立主體，計劃2026年4月起逐步生效，2027年4月完成滋賀工廠轉移。此舉旨在提升決策效率、標準化工藝並增強抗周期波動能力。

同期，ROHM發布800VDC架構AI基礎設施電源白皮書，強調SiC與GaN在下一代數據中心的高效、低噪、小型化價值，並多次上修2026財年業績預期（銷售目標從4400億日元上調至4800億日元），主要得益於汽車回暖、服務器需求強勁及日元貶值等因素。

ROHM的整體戰略清晰：以SiC+GaN雙輪驅動搶佔AI與電動化市場，通過技術授權、自建產能、封裝創新和全球佈局，全面強化供應鏈掌控力與交付能力。台積電近期動態與戰略佈局

作為全球晶圓代工龍頭，台積電（TSMC）正全力應對AI需求爆炸式增長，通過先進製程擴產、先進封裝倍增以及全球佈局分散風險，鞏固其「AI基礎設施基石」地位。2026年被視為AI超級周期延續之年，台積電反覆強調需求具有「結構性、多年度」特徵。截至2026年2月底，其各項指標均呈現強勁增長態勢。

2026年2月最新重點動作

2026年1月合併營收達4012.6億新台幣，按月增長19.8%，按年增長36.8%，主要由AI芯片強勁拉動。 台積電2nm（N2）製程產能幾近售罄，已敦促客戶提前鎖定2027年Q2產能，蘋果、英偉達等大廠搶單激烈。N2自2025年下半年在新竹/高雄量產，2026年快速爬坡，初期規模有望超越N3世代。

先進封裝（CoWoS）產能目標2026年底達14萬片/月（較近期翻倍），2027年底進一步提升至17萬片。嘉義AP7廠將成為2027年主力，台南AP8同步推進，支持9.5倍光罩尺寸CoWoS及12+ HBM堆疊。 董事會決議2026年每股股利至少23元新台幣，較2025年增長28%。

2025下半年至2026年初核心財務與佈局

2025年第四季度法說會（1月15日）披露：營收337億美元，按年增長25.5%；淨利潤160億美元，按年增長35%；毛利率62.3%（歷史高位）；AI加速器收入佔比已達17-19%。

2026全年營收美元計按年增長近30%，資本支出大幅上調至520-560億美元（歷史新高），其中70-80%投向先進製程，10-20%用於先進封裝。AI加速器收入2024-2029年複合年增長率上調至mid-to-high 50%。

先進製程路線圖明確：N2 2025Q4量產、2026快速放量；N2P增強版2026下半年量產；A16（超級電軌）同步2026下半年量產。 全球佈局加速：美國亞利桑那州總投資擴至1650億美元，規劃6座晶圓廠+2座先進封裝廠。Fab 1已高量產4nm，Fab 2 2026年設備搬入、2027下半年量產，Fab 3針對N2/A16已動工。

日本熊本JASM二廠動工並評估升級至3nm（最快2028量產）；德國德累斯頓ESMC廠穩步推進；台灣本土持續最大規模投資，多地同步建設N2與CoWoS產能。海外佈局並非替代台灣，預計2036年台灣仍佔先進製程約80%。

台積電的戰略核心是先進製程（N2/A16）+先進封裝（CoWoS/CPO）雙引擎驅動，通過鉅額資本支出、客戶提前鎖定和全球建廠，確保在AI時代的主導地位，毛利率長期目標維持56%以上。