隨着英偉達Vera Rubin出貨節點日益臨近，存儲巨頭圍繞HBM4市場份額的霸權爭奪戰已然打響。

三星率先亮出底牌。據ZDNet Korea近日報道，三星電子決定增大其第六代10nm級DRAM芯片的尺寸，從而同時提升DRAM和HBM4的性能。據悉，芯片尺寸的擴大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩定性，HBM4由於I/O數量增加，需要在DRAM中設定更多的TSV孔。

當三星的DRAM擁有更大的可用面積，TSV佈局方面即可獲得更大的靈活性，如降低了TSV密度，便於散熱並確保可靠性。

問題在於，增大DRAM尺寸或意味着利潤縮水——因將減少每片晶圓可生產的芯片數量。此外，三星電子在HBM4核心芯片中採用了領先競爭對手一代的1c DRAM技術，然而1c DRAM的良率仍然只有60%左右，其正集中精力提高良率，同時搶先為英偉達大規模生產HBM4。

不過，三星對其尖端工藝充滿信心，其在日前舉行的HBM4量產啓動儀式上宣稱：「從HBM4開發之初，我們就設定了超越JEDEC（聯合電子設備工程委員會）標準的性能目標」，並且「從量產之初，我們就確保了穩定的良率和行業領先的性能，而無需重新設計。」

資料顯示，JEDEC最初僅將HBM4的性能標準設定為8 Gbps，但內存供應商最近將其提高到11.7 Gbps，並與英偉達一起進行了測試。

橫向對比來看，針對HBM控制器的基礎芯片，三星採用自家晶圓代工廠的4nm工藝進行量產，相比SK海力士採用台積電工藝的12nm工藝有了顯著提升。此外，SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。

在HBM4銷售上，三星已取得些許優勢。根據市場調查機構Omdia的報告，三星電子2025年第四季DRAM市佔率達36.6%，SK海力士以32.9%屈居第二，主要得益於三星第六代高帶寬內存HBM4的銷售增長。

另一方面，SK海力士在量產進度上進行追趕。據此前報道，SK海力士將其位於清州的「HBM4專用工廠」M15X工廠的量產計劃提前了四個月，於本月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。該工廠初期規劃約為1萬片，預計到今年底將提升至數萬片。

根據TrendForce集邦諮詢最新HBM產業研究，預期英偉達Rubin平台量產後，將帶動HBM4需求。目前三大存儲器原廠的HBM4驗證程序已進展至尾聲，預計將在2026年第二季陸續完成。其中，三星憑藉最佳的產品穩定性，預期將率先通過驗證，SK海力士、美光隨後跟上，可望形成三大廠供應英偉達HBM4的格局。