當三星在HBM4時代彎道超車，重新獲得英偉達的青睞並可能承接最大份額訂單，低利潤的2D NAND就成為產能重構下的棄子。

2026 年 2 月末，三星電子宣佈將關停其韓國華城工廠 12 號線的 2D NAND 閃存生產 —— 這是三星最後一條 2D NAND 產線，此舉標誌着自 2002 年開啓的平面閃存量產時代正式落幕。這座月產能達 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產線，將於 2026 年 3 月正式停工並改造為 1C DRAM 後道封測廠，聚焦 DRAM 佈線等核心後道工序。這場產能調整並非臨時決策，而是三星存儲業務向高端化、AI 化轉型的關鍵落子，也成為全球存儲行業從傳統制程向先進製程全面升級的標誌性事件，折射出存儲巨頭在 AI 時代的戰略重構邏輯。

三星的 2D NAND 業務曾書寫了行業傳奇。2002 年，三星率先實現 1Gb NAND 閃存的全球量產，一舉奠定其全球閃存市場的龍頭地位，也推動 2D NAND 成為消費電子存儲領域的主流技術，廣泛應用於 U 盤、存儲卡、低端嵌入式設備等場景。2013 年，三星再次引領行業變革，成功量產 3D V-NAND 垂直閃存，開啓了 NAND 閃存向垂直堆疊方向轉型的新階段，彼時 2D NAND 的技術侷限性已開始顯現 —— 相較於 3D NAND，其存儲密度低、性能提升空間有限、單位成本高的短板，在消費電子對大容量、高速率存儲需求持續提升的背景下愈發突出。

從 2013 年 3D NAND 量產到 2026 年 2D NAND 全面停產，13 年間 2D NAND 的市場需求持續萎縮。如今，2D NAND 僅存於少數低端存儲設備市場，需求微乎其微，且毛利率低迷、資產利用效率低下，對三星而言已無戰略保留價值。三星在 2025 年四季度的財報電話會議中便明確表示，計劃將傳統制程產線升級為先進製程產線，停止平面型 NAND 閃存生產是其中核心舉措，且早在去年便已將關停計劃告知相關客戶，為產能調整做好了充分鋪墊。

此次三星韓國本土 2D NAND 產能的退出，並非意味着其收縮 NAND 閃存業務，而是通過產能結構優化實現高端化升級，中國西安工廠成為其 3D NAND 產能的核心承接者。目前，三星西安工廠的 NAND 閃存產量已佔其全球總產量的約 40%，是三星佈局 3D NAND 技術的核心基地。該廠正加速技術迭代，從 128 層的第六代 3D NAND 閃存，向 200 層及以上的第八代 V8 NAND 閃存工藝邁進，同時計劃在 2026 年第二季度將西安 X2 產線改造為 280 層 V9 NAND 產線，月產能規劃達 4 萬至 5 萬片晶圓，全力量產下一代高端 3D NAND 產品。三星通過將 NAND 閃存產能向西安工廠集中，既彌補了韓國本土產能縮減的缺口，也實現了 3D NAND 技術的規模化、高端化佈局，精準契合 AI 服務器、高端消費電子等領域對高存儲密度、高性能 NAND 閃存的需求。

將華城 12 號線改造為 1C DRAM 後道封測廠，是三星錨定 AI 時代存儲需求的關鍵佈局，背後是 1C DRAM 市場的爆發式增長與供應瓶頸的雙重現實。作為最新一代 DRAM 技術，1C DRAM 是三星第四代高帶寬內存 HBM4 的核心製造基底，其晶體管密度更高、能效比更優，且能滿足 AI 大模型訓練、推理以及數據中心建設對高帶寬、低延遲存儲的嚴苛要求，同時三星正將該技術的應用從 HBM 拓展至通用服務器內存領域。目前，1C DRAM 因 AI 產業的拉動需求激增，全球範圍內面臨顯著的供應瓶頸，而三星華城基地原本已具備 DRAM 芯片生產能力，此次產線改造將與現有產線形成協同，大幅提升華城基地整體的 DRAM 生產效率，快速填補 1C DRAM 的產能缺口。

為強化 1C DRAM 的產能佈局，三星正加大對華城、平澤兩大基地的投資力度，形成 「改造 + 新建」 的雙線佈局。除華城 12 號線的改造外，原本規劃為 DRAM、NAND 閃存及晶圓代工於一體的平澤 P4 工廠，已全面轉向 DRAM 芯片生產，成為 1C DRAM 的核心生產基地；華城基地的其他老舊 DRAM 產線也在推進向 1C DRAM 製程的升級。目前三星 1C DRAM 芯片的良率正快速趨於穩定，高溫環境熱測試良率已達 80%，預計 2026 年 5 月將提升至 90% 的大規模量產關鍵指標，基於 1C DRAM 打造的 HBM4 良率也已接近 60%，技術成熟度的提升為產能擴張奠定了堅實基礎。按照三星的規劃，其 1C DRAM 月產能將從 2025 年末的 6 萬片提升至 2026 年底的 20 萬片，佔整體 DRAM 總產量的三分之一。

依託 1C DRAM 技術，三星已在 2026 年 2 月初正式啓動 HBM4 的出貨工作。這款新一代高帶寬內存不僅採用 1C DRAM 技術，基底芯粒還由三星 4 納米晶圓代工工藝打造，傳輸速率可達 11.7Gbps，遠超 JEDEC 協會制定的 8Gbps 行業標準，且後續可實現 13Gbps 的更高速率。憑藉技術優勢，三星已敲定與英偉達等核心客戶的 HBM4 供應協議，預計 2026 年 HBM 相關業務營收將較去年實現三倍增長，成為三星存儲業務的核心利潤增長點。

三星的產線調整並非孤例，而是全球存儲行業的集體戰略轉向，其主要競爭對手海力士也在加速 1C DRAM 的投資與擴產，一場圍繞 AI 存儲的行業競賽全面展開。海力士將 1C DRAM 月均晶圓產能目標從 2025 年 4 月的 9 萬片，大幅提升至如今的 17 萬至 20 萬片，翻了近一倍；同時推進利川市 M16 工廠的升級，計劃 2027 年完成 1a、1b DRAM 產線向 1C DRAM 的改造。此外，海力士在 2026 年 2 月 25 日宣佈，將在 2030 年 12 月前向龍仁半導體產業集羣首座工廠投資 21.6 萬億韓元（約合 150 億美元），該工廠總投資規模將增至 31 萬億韓元（約合 215 億美元），佈局重心直指下一代 DRAM 存儲芯片與先進 NAND 閃存技術。三星與海力士的密集動作，印證了 1C DRAM 與高端 3D NAND 已成為存儲行業的核心發展方向，行業競爭的焦點從傳統存儲產品轉向 AI 時代的高端存儲技術。

三星終結 2D NAND 生產、全面佈局 1C DRAM 與高端 3D NAND 的戰略，背後是存儲行業發展邏輯的根本轉變，標誌着全球存儲產業正式進入 「3D 堆疊 + 先進製程」 的 AI 時代。過去，存儲廠商的戰略更多圍繞消費電子、PC 等傳統市場的需求波動展開，而如今，AI 成為存儲行業的核心增長引擎，數據中心即將超越移動市場成為 NAND 閃存的第一大消費端，HBM 與先進 DRAM 則成為行業增長的核心驅動力。在此背景下，存儲廠商不再是單純應對市場需求波動，而是為人工智能加速、高性能計算及高功耗數據中心工作負載主導的時代重新定位自身，淘汰低毛利、低需求的傳統產品，為高增長、高毛利的高端存儲產品騰出資源，成為行業共識。

對三星而言，這場戰略轉型是 「利潤優先」 取代 「規模優先」 的關鍵調整。2D NAND 屬於低毛利業務，長期處於薄利甚至微利狀態，而 1C DRAM 與 HBM4 作為 AI 時代的核心產品，毛利率顯著高於傳統存儲產品，且需求呈爆發式增長。通過關停低效的 2D NAND 產線，三星盤活了現有潔淨室、生產設備等存量資源，相比新建產線，改造舊產線成本更低、周期更短，能夠快速實現產能落地。同時，將研發、產能資源集中於 1C DRAM 與高端 3D NAND，也讓三星能夠更好地應對行業競爭，其目前在 DRAM 市場以 33.7% 的份額位居第二，落後於海力士的 36%，而 1C DRAM 的提前佈局，成為三星重奪 DRAM 市場領導地位的關鍵抓手。

從行業影響來看，三星退出 2D NAND 市場將加速全球 2D NAND 產能的全面出清，推動行業徹底告別平面閃存時代，全面進入 3D NAND 與先進 DRAM 主導的新階段。對於全球存儲市場而言，三星 1C DRAM 產能的擴張將緩解先進內存的供應緊張局面，但也將進一步加劇高端存儲領域的行業競爭，美光等其他存儲巨頭也已開始佈局相關技術，行業技術迭代速度將持續加快。而對於國內存儲廠商而言，這一調整帶來了結構性機遇，三星、美光等海外廠商退出 2D NAND 市場後，國內廠商可承接相關市場份額，同時在利基 DRAM 領域，三星產能向高端傾斜也為國內廠商帶來了國產替代的空間。

三星 24 年的 2D NAND 時代落幕，不僅是一家企業的戰略選擇，更是全球存儲行業轉型的轉折點。這場轉型印證了技術迭代的必然趨勢，也彰顯了存儲巨頭與行業發展方向同頻的戰略智慧。在 AI 時代，先進製程 DRAM 與高堆疊層數 NAND 閃存技術，已不再是存儲行業的可選方向，而是發展的根本所在。未來，圍繞高端存儲技術的產能競爭、技術競爭將成為行業主旋律，而率先實現技術成熟與產能規模化的企業，將在 AI 存儲的超級周期中佔據核心優勢。