智通財經APP獲悉，光大證券發布研報稱，全球AI算力需求持續高速增長，同時AI推理對低延時的需求不斷增強，GPU+LPU的異構架構有望加速落地，產業景氣度有望延伸至PCB設備領域，PCB鑽針或呈現供不應求及產品漲價的高景氣度局面，建議關注PCB核心製造環節的設備生產商：1)高精度鑽孔及曝光環節;2)PCB高精度裝聯設備;3)高端PCB鑽針;4)先進電鍍環節。

光大證券主要觀點如下：

英偉達正交背板方案的推出與應用計劃

2025年3月，英偉達在GTC大會上公布其產品路線圖，預期在其2027年下半年計劃量產的Rubin Ultra NVL576架構中引入正交背板方案以替代傳統銅纜連接，截至目前該應用方案仍在驗證過程中。英偉達正交背板架構通過高性能PCB實現計算板與交換板的垂直直連——兩者在空間上呈90度正交排列，相較於傳統銅纜連接方式，該技術在信號速率、佈線密度及散熱效率等維度均展現出更優的工程特性。

英偉達正交背板PCB基材要求與方案

1)正交背板PCB基材要求：板材層數預計達78層，需採用三塊26層以上PCB壓合而成;線寬線距需≤25μm，遠低於傳統PCB約50μm的線寬標準;介電常數(Dk)≤3.0，介電損耗(Df)≤0.0007，熱膨脹係數(CTE)≤7ppm/℃。

2)正交背板PCB材料方案：RubinUltra正交背板擬採用M9級覆銅板，目前M9複合材料具體方案仍在確定，經過產業鏈逐步驗證，目前「78層M9樹脂+HVLP3/4銅箔+Q布」為核心主推方案，後續亦或使用M9和PTFE材料的混合堆疊方案，其中，Q布(即石英纖維布)的介電常數(Dk)僅為2.2-2.3，遠低於傳統E玻璃纖維布(Dk≈4.8-4.9)及二代低介電布(Dk≈4.2-4.3),介電損耗(Df)低至0.0005-0.0007，僅為傳統玻纖布的1/10，熱膨脹係數(CTE)低至0.5ppm/℃，高度契合正交背板性能要求。

3)正交背板的生產工藝要求較高：①高精度疊層壓合：採用激光定位技術實現30層以上PCB的精準疊合，壓合溫度需控制在160±5℃，壓力穩定在20-25kg/cm2，避免層間偏移;②微孔鑽孔技術：正交背板需加工孔徑0.1mm以下的微孔，多采用激光打孔後再進行等離子去毛刺處理;③高速差分線佈線：差分線間距控制在2.5倍線寬，有效避免串擾;④全檢測試：生產後需經過ICT(在線測試)、飛針測試及信號完整性分析，部分測試需確保阻抗偏差<±5%。

採用Q布方案的M9材料對PCB鑽針加工的影響

1)鑽針消耗量將明顯增加：採用Q布的M9材料硬度明顯提高，這導致傳統的鎢鈷合金鑽針壽命急劇下降，從加工FR-4材料約12000孔/次降至僅約200-300孔/次;同時，鑽針在深孔作業時極易發生偏斜或折斷，為避免斷針，鑽孔機必須採用「分次下刀」的模式，目前常見技術有分3-4段加工;上述情況將明顯提升PCB鑽針耗用量，因此PCB廠商更多嘗試使用帶TAC等塗層的鑽針以增加鑽針壽命，或考慮使用硬度更高的金剛石鑽針，目前行業頭部公司的金剛石鑽針仍處於商業化驗證階段。

2)對高長徑比的鑽針需求量增加：正交背板的厚度可達1-2cm，導致鑽針的長徑比可達100以上，當鑽針長徑比超過50倍以上時，生產難度急劇提升，鑽針的生產效率將會明顯下降，影響鑽針的供給速度，同時也提高了鑽針的單價水平。

3)苛刻的背鑽工藝增加鑽針需求量：為了保持正交背板PCB的信號完整性，必須通過精確的背鑽工藝去除過孔中任何未使用的部分(稱為「殘樁」)，生產工續的增加將進一步提升PCB鑽針需求。背鑽鑽針通常需要較平的鑽尖角度以保證切除面的平整度，還需與CCD高精度控深鑽機配合，深度公差控制在±50μm內。

風險提示：行業競爭加劇、行業技術迭代、產業轉移、終端需求不及預期等風險。