高盛預測存儲行業將迎史上最強上行周期，將SK海力士與三星目標價上調至135萬及26萬韓元。受益於AI需求及供應緊缺，預計2026年SK海力士DRAM均價按年大漲243%，ROE突破80%；三星營業利潤將實現5倍以上按年增長，HBM收入預計達150億美元。即便兩司資本支出加碼至40萬億及46萬億韓元，當前估值仍具吸引力。

華爾街投行高盛日前發布報告，全面上調韓國芯片巨頭SK海力士與三星電子的目標價及盈利預測。高盛指出，受人工智能需求和傳統存儲市場供給緊缺的疊加驅動，行業正迎來史上最強的存儲上行周期，這將推動兩家公司在2026年實現創紀錄的利潤與利潤率。

據追風交易台消息，高盛Giuni Lee團隊將SK海力士的12個月目標價從120萬韓元上調至135萬韓元，將三星電子的目標價從20.5萬韓元上調至26萬韓元，並對兩家公司重申「買入」評級。基於對DRAM和NAND閃存價格更高的預期，高盛大幅上調了兩家公司2026年第一季度的營業利潤預測。據彭博彙編的共識預期，高盛對SK海力士34.7萬億韓元和三星40.3萬億韓元的一季度營業利潤預測，分別高出市場預期8%和6%。

這一激進的上調反映了存儲市場強勁的定價動態。高盛最新的渠道調研顯示，第二季度DRAM和NAND的早期定價談判起點已顯著高於數月前的預期。由於AI和服務器主導的需求吸收了市場絕大部分新增供應，即使在個人電腦和智能手機需求平淡的背景下，核心應用的存儲芯片供應充足率依然處於極低水平。

強勁的基本面將直接轉化為空前的財務回報。高盛預計，SK海力士今年的淨資產收益率（ROE）將突破80%的歷史高點，而三星電子的營業利潤將實現超過5倍的按年增長。儘管高盛在模型中計入了2027年存儲價格可能出現溫和回調的假設，但指出兩家公司當前的估值水平依然具有顯著的吸引力。

存儲芯片迎史上最強上行周期

高盛在此次報告中大幅上調了對傳統存儲芯片的價格預測。對於SK海力士，高盛預計其2026年第一季度傳統DRAM價格將按月飆升88%，NAND價格按月上漲58%。基於此，SK海力士2026年全年的常規DRAM平均售價預期被上調至按年上漲243%。

三星電子方面，第一季度的DRAM和NAND價格按月漲幅預期分別達到88%和71%，全年NAND價格預計按年暴漲164%。

這種定價環境將帶來史無前例的利潤率水平。高盛預計，SK海力士今年的DRAM和NAND營業利潤率將分別飆升至70%以上區間和40%以上區間，打破歷史最高紀錄。三星電子的DRAM營業利潤率也將達到71%，NAND利潤率達到46%，不僅創下紀錄，甚至持平或超越了2017至2018年上行周期時的巔峯水平。

AI及HBM需求重塑業績格局

除傳統存儲的復甦外，高頻寬內存（HBM）業務的突破是另一大核心驅動力。高盛重申了對SK海力士在AI存儲領域保持穩固領導地位的預期，預計其2026年全年營業利潤將達到202萬億韓元，ROE從去年的44%大幅躍升至今年的81%以上。

三星電子在HBM領域的進展同樣顯著。得益於HBM4的行業首發與出貨、在Google TPU中的穩固地位，以及在Nvidia市場份額的增加，高盛預計三星的HBM收入將在2026年實現158%的按年增長，達到150億美元。

這一變化也直接反映在三星的客戶結構中，Alphabet已取代Verizon進入其2025年前五大客戶名單，顯示出其產品組合正加速向服務器和AI轉移。受此推動，三星2026年整體營業利潤預計將達到239萬億韓元。

不過高盛也指出，持續飆升的存儲元件成本將對三星智能手機業務的利潤率造成明顯壓制，預計今年其智能手機營業利潤率將降至4%的歷史低點。

資本支出加碼與估值吸引力

面對緊缺的供應局面，兩家公司均計劃進一步擴大資本支出。高盛將SK海力士和三星電子2026年的存儲資本支出預測分別上調至40萬億韓元和46萬億韓元。

高盛強調，行業資本支出將高度向高利潤的DRAM和HBM傾斜，且由於大部分增量資金用於基礎設施準備，短期內不會有大量實質性產能釋放到市場。此外，三星電子在2025年投入了創紀錄的37.7萬億韓元用於研發（按年增長8%），以鞏固其技術領先地位。

在估值方面，高盛認為即便計入2027年價格小幅調整的預期，兩隻股票依然便宜。以2027年預期數據計算，SK海力士的市盈率為4.5倍，市淨率為1.7倍，ROE維持在46%；三星電子的市盈率為6.8倍，市淨率為1.7倍，ROE為28%。

結合SK海力士的股票回購、派息以及潛在的ADR上市計劃，以及三星電子註銷近8700萬股庫存股的舉措，高盛對兩家公司的中長期前景保持高度建設性看法。高盛提示的潛在風險主要包括宏觀終端需求疲軟導致的存儲供需惡化、技術迭代的延遲，以及三星在移動OLED市場面臨的份額流失風險。