2 月份，包括 NAND 閃存晶圓在內的全球內存現貨市場主要產品價格全面上漲。

據 IT 媒體 DigiTimes 本月彙編的市場數據顯示，供需缺口迅速擴大，推高現貨價格，加劇了資金壓力。有警告稱，如果這種趨勢持續下去，可能會導致「產業周期崩潰」。

NAND 晶圓引領了 2 月份現貨價格的上漲。1TB TLC 閃存晶圓按月上漲 25%，達到 25 美元，這是該報告確認的最大單月漲幅。DDR5 16G (2Gx8) 芯片上漲 7.4%，達到 39 美元，而 DDR3 4Gb (512Mx8) 芯片上漲 7.5%，達到 5.70 美元。

DDR4 的價格在不同產品類別之間有所差異。 8Gb (1Gx8) DRAM 價格上漲 6.8% 至 33 美元，而 16Gb (2Gx8) DRAM 價格僅上漲 0.26% 至 78.10 美元。這較 1 月份所有 DRAM 產品 20-30% 的月度漲幅有所放緩。DigiTimes 分析認為，此次漲幅放緩「部分原因是季節性因素，而非結構性壓力緩解的跡象」。

此次現貨價格上漲值得關注，因為與此同時，合約價格預測也上調。市場研究公司 TrendForce 大幅上調了其 2026 年第一季度通用 DRAM 合約價格預測，從之前的 55-60% 的漲幅上調至 90-95%。PC DRAM 價格預計將按月翻番以上，TrendForce 認為這將創下新的季度紀錄。NAND 閃存合約價格預測也從之前的 33-38% 的漲幅上調至 55-60%。

此次價格飆升的根本原因在於通用DRAM和消費級NAND市場供應短缺，因為人工智能基礎設施的需求已將內存供應集中於服務器DRAM和高帶寬內存（HBM）。北美雲服務提供商自2025年下半年起通過預購獲得了配額，導致其他買家採購困難，訂單被推遲。TrendForce指出，即使是已從供應商處獲得配額的一線PC OEM廠商，其庫存水平也在下降。

在NAND方面，長期趨勢顯而易見。據DigiTimes援引ChinaFlashMarket的數據報道，自2025年10月以來，1Tb QLC/TLC閃存晶圓價格已上漲近三倍，512Gb TLC價格同期上漲近五倍。由於供應商將精力集中在高利潤的企業級SSD生產上，模塊製造商可獲得的晶圓供應有限，這成為支撐NAND市場整體上漲的結構性因素。

DigiTimes 警告稱，如果供需缺口持續擴大，資金壓力可能達到臨界點，導致整個行業周期崩潰。除非人工智能基礎設施投資放緩，否則內存需求（尤其是服務器內存需求）的集中度不太可能緩解。

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