三星在英偉達 GTC 大會上首次展示下一代 AI 芯片 HBM4E
三星電子在英偉達 GTC 大會上首次展示了這款芯片，突顯了其成為英偉達即將推出的 Vera Rubin 平台關鍵合作伙伴的努力。三星還展示了 Hybrid Copper Bonding（混合銅鍵合），這是一種旨在克服傳統熱壓鍵合物理限制的新封裝技術。HCB 技術可讓新一代高帶寬存儲器（HBM）實現16 層及以上堆疊，同時將熱阻降低20% 以上。其他為英偉達 AI 基礎設施打造的前沿技術還包括HBM4與SOCAMM2，目前這兩款產品均已量產。
責任編輯：王永生
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