智通財經APP獲悉，國盛證券發布研報稱，在AI服務器功率密度持續提升(單芯片700W→1000W+)背景下，熱阻結構發生變化：冷板能力持續增強，而界面接觸不充分導致的熱阻佔比顯著提升。TIM正在從低價值輔材升級為影響散熱效率上限的關鍵環節之一。隨着AI算力持續擴張，TIM有望成為液冷產業鏈中兼具高頻耗材屬性與技術升級彈性的關鍵環節。

國盛證券主要觀點如下：

事件：近期液冷材料側出現邊際變化：1)2026年2月，Akash Systems向印度雲廠商NxtGen交付全球首批採用金剛石散熱技術的NVIDIA H200服務器，可降低GPU熱點溫度約10攝氏度；2)Indium Corporation披露，隨着AI GPU/ASIC功耗提升至800W+，液態金屬TIM在裸die芯片中加速驗證並進入工程導入階段(公司技術白皮書)。

TIM是什麼？——從「填縫材料」到「熱阻核心」

TIM是填充微觀空隙的導熱材料，核心作用是降低界面接觸熱阻(空氣等)。在AI服務器功率密度持續提升(單芯片700W→1000W+)背景下，熱阻結構發生變化：冷板能力持續增強，而界面接觸不充分導致的熱阻佔比顯著提升。TIM正在從低價值輔材升級為影響散熱效率上限的關鍵環節之一。

TIM為何迎來升級？——功率密度驅動工程路徑演進

TIM的演進是伴隨芯片功率密度提升的必然趨勢：傳統硅脂(3–10 W/mK)導熱性能有限，液態金屬(20–80 W/mK)憑藉更高導熱性能與優異潤溼性，可顯著降低界面熱阻，提高散熱效率。受限於腐蝕、可靠性與封裝工藝，仍處導入初期。此外，市場關注的金剛石散熱材料，本質更偏向熱擴散層(heat spreader)，用於降低熱點熱流密度，與TIM材料共同作用於提升散熱效率，並非替代關係。

技術進展如何？——ASIC與Nvidia共發力

從產業節奏看，TIM材料革新正處於「驗證→導入」的階段。GPU側，NVIDIA當前以高端硅脂為主，下一代平台開始探索更高性能TIM方案；ASIC側，Google TPU、Amazon Trainium等自研芯片功率也進一步提升，同時進行液態金屬TIM材料的相關配套研發。

從材料分工看，路徑逐漸清晰：液態金屬解決「界面接觸熱阻」問題，是TIM現實升級方向；金剛石解決「熱點擴散」問題，更偏封裝內部材料。

標的方面

建議重點關注具備金屬TIM技術儲備的頭部企業如霍尼韋爾(HON.US)(材料龍頭)、 MMM(3M.US)(可靠性TIM)、國內公司如科創新源(300731.SZ)(高分子材料平台)等。

風險提示

算力進展不及預期、AI發展不及預期、技術創新風險。