TradingKey - 美東時間3月18日（周三），美光（MU）披露了大幅超預期的財報與財測，然而盤後股價卻一度下跌6%。

2026財年第二財季，美光季度銷售額增長近三倍，達到239億美元。每股收益攀升至12.20美元，大超分析師預期。彭博社數據顯示，分析師此前平均預期營收為197億美元，每股收益為9美元。

然而，美光同時披露本財年資本支出將超過250億美元，並預告2027財年支出將在此基礎上再增超過100億美元。分析認為，此次下跌體現了市場對美光資本開支過高的擔憂。

產能之爭面前 美光沒有退路

首席執行官Sanjay Mehrotra表示，2027財年資本支出中，與建築相關的成本將增加超過100億美元。

美光正在愛達荷州和紐約州建設兩座巨型新製造廠，以提高其在美國的存儲產能，愛達荷州工廠預計將於2027年中期開始投產，紐約的工廠預計將於2028年下半年開始生產晶圓。

不只是美光，其競爭對手三星和SK海力士也在擴大產能。三星目前在建的有平澤P4廠、P5廠以及在美國德州的泰勒廠。SK海力士在建的有清州M15X廠、龍仁半導體集群，利川總部的M16工廠也在進行產能升級。

目前，美光的HBM產能僅為三星的三分之一，且截至2026年底的產能均已售罄。如不擴張產能，就無法擴大訂單量，從而搶佔市場。對市場份額最低的美光來說，沒有保持現狀的選項，在產能競爭中，不擴張就等同於把未來的訂單拱手讓給對手。

市場擔憂：折舊壓力 產能過剩

儘管如此，產能擴大帶來的超預期的資本支出仍有令人擔憂的一面：未來是否會壓制美光的毛利率和自由現金流？美光產能規模大幅低於三星和SK海力士，其固定資產的折舊費用平攤至每個芯片上的成本更高，對毛利率的影響更大。

尤其是半導體作為周期性行業，總有一天會面臨市場需求下降的問題。美光目前興建的晶圓廠，未來都會成為資產負債表上沉重的固定資產折舊。不僅如此，相比在本地建廠的三星和SK海力士，美光在美國建廠的代價更高昂。

更嚴重的問題是，從全行業來看，歷史上的每一次存儲價格暴跌都是因為產能過剩，而本次三星、SK海力士和美光的新廠投產時間高度重合，幾乎都集中在2027年左右。

當然，更樂觀的想法是，目前由AI基建需求主導的內存需求，規模會更大，持續時間也更長，且迭代更新的節奏更快，這一次擴產勢必不會導致供需失衡的結局，這三大巨頭紛紛加碼投資，正是基於對這一預期的確信。

HBM爭霸賽：美光如何匹敵三星SK海力士？

聚焦於更近的未來，市場更擔心的是美光在與三星和SK海力士的競爭中落後。美光近期宣佈HBM4已於2026年第一季度進入量產階段，打破了此前被排除在英偉達（NVDA）Vera Rubin供應鏈之外的傳言。上月，首席財務官Mark Murphy表示公司已實現HBM4大規模量產後，股價一度大幅上漲。

然而，英偉達會在多大程度上依賴美光的HBM4供應卻是個問題。目前，英偉達的HBM4供應商還包括SK海力士和三星，前者由於與英偉達、台積電（TSM）長期合作、深度綁定，已經穩坐英偉達首席供應商的交椅，且最先通過英偉達的驗證，先前有傳聞稱其拿下英偉達HBM供應訂單的70%。

英偉達對Vera Rubin產品線存儲的採購決策，會直接影響，乃至於決定美光的HBM市場份額；若英偉達轉向其競爭對手，美光將大受打擊。

但從英偉達的角度來講，之所以在供應鏈中同時引入HBM三大巨頭，正是為了平抑SK海力士「一家獨大」的趨勢，打破其壟斷溢價，從而獲得議價權。此前，有行業傳聞稱，英偉達派遣工程團隊駐紮美光，進行實時錯誤調試，從而更快通過產品驗證。在英偉達急需HBM芯片的情況下，美光產品既有功耗控制優勢，又能抑制競爭對手的溢價，英偉達是絕不可能拋棄美光，轉向其對手的。

今年以來，美光股價已累計上漲62%，是費城半導體指數中表現最佳的成分股，還是成為美國市值最大的十家科技公司中唯一年內錄得漲幅的企業。美光此次下跌也有投資者獲利止盈的原因。

但從基本面情況來看，美光Q2毛利率高達74.4%，意味着該公司有強大的盈利修復能力，在HBM供不應求、訂單已排至2027年的當下，美光最大的問題並不是缺訂單，而是缺產能。在AI基建需求持續高漲的情況下，美光現在投資百億擴大的產能，未來只會帶來更多真金白銀。

原文鏈接