三星電子正加速推進下一代高帶寬內存佈局。在HBM4今年正式進入量產的同時，三星已將目光投向更遠一代產品——計劃將HBM5基片工藝從4納米提升至2納米，並以1d DRAM作為HBM5E的核心堆疊存儲。與此同時，HBM4將佔據今年三星HBM總出貨量的逾半數，整體HBM產能較去年增長超過三倍。 據ETNews和韓聯社報道，三星電子內存開發負責人、副總裁Hwang Sang-jun在英偉達GTC大會上披露...
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