文｜《科創板日報》

在AI時代，賺得盆滿鉢滿的存儲巨頭們，正將行業景氣度不斷傳遞至其上游——半導體設備環節。

近日，SK海力士簽署了一份高達815.6億韓元的半導體設備供應合同，合作對象為韓國唯一刻蝕設備供應商VM公司。經測算，此次合同的價值相當於該公司2024全年合併營收的116%。

據媒體援引知情人士消息，VM公司今年來自SK海力士等存儲廠商的相關訂單累計已達2246億韓元。按照市場分析師此前預測，VM公司今年收入將在2200億至2300億韓元之間。公司高管認為，2026年公司營收將創歷史新高。他表示：「產能擴張正在進行，因此今年可能會有更多訂單。」

VM公司訂單快速起量並非個例，在最近一次摩根士丹利媒體會議上，美國半導體設備製造龍頭Lam Research首席財務官Doug Bettinger表示：「自從3D NAND技術推出後，Lam Research的營收翻了一番。預計DRAM也將帶來類似的營收增長機會。」

資料顯示，Lam Research在3D NAND等先進存儲技術領域具有一定優勢，這類技術能通過垂直堆疊提高單位面積的存儲密度。Doug Bettinger指出，如今半導體架構正朝着3D方向發展，除了NAND，DRAM也將從6F²過渡到4F²，並最終發展成為3D DRAM。

有券商分析稱，在AI算力需求爆發背景下，HBM帶動DRAM高階製程升級，3D NAND向400層以上堆疊演進，使得單萬片產能投資額同步提升。

東方證券指出，隨着堆疊層數的增加，刻蝕設備用量佔比也將不斷攀升。與2D NAND時代刻蝕僅作為光刻配套工序不同，3D NAND層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比；此外，DRAM未來也有望向3D堆疊方向發展，有望進一步推動刻蝕和薄膜沉積設備的需求量。

Lam Research預測，今年前道設備市場將增長23%。為滿足客戶需求，該公司正在擴大包括馬來西亞工廠在內的多家工廠的產能。

▌設備工藝迎「升級潮」

除了需求量攀升，半導體設備工藝也有望隨着存儲技術的演進而水漲船高。

據報道，隨着HBM封裝堆疊高度不斷增加，業界開始關注放寬半導體封裝規格的可能性。日前，聯合電子器件工程委員會（JEDEC）正考慮將HBM封裝的高度標準從目前的約775微米提高到900微米。

在近日舉行的全球半導體盛會SEMICON China 2026期間，韓美半導體宣佈推出新一代HBM生產設備「寬尺寸TC鍵合機」。據介紹，這款設備能夠隨着HBM芯片面積的擴大，穩定增加TSV（硅通孔）和I/O（輸入/輸出接口）的數量。通過增加連接DRAM芯片和中介層的微凸點數量，能夠確保內存容量和帶寬，並提高能效。

與此同時，北方華創、中微公司等分別發布新一代刻蝕設備，並不約而同提到存儲技術發展對行業產生的影響：

北方華創表示，全球算力與存儲芯片需求的爆發，帶動半導體設備市場持續增長。其設備聚焦先進邏輯與先進存儲領域關鍵刻蝕工藝需求，可滿足更先進節點的芯片製造要求。

中微公司表示，隨着先進存儲芯片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕設備面臨着對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰。

中信證券表示，考慮到本輪存儲上行周期以及下游積極的邏輯需求，預計2026年全球半導體晶圓製造設備（WFE）市場規模將維持高個位數百分比按年增長，且存儲佔比有望進一步提升。

東吳證券認為，存儲端高層數3D堆疊對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術提出更高要求。刻蝕與薄膜沉積在前道設備中的價值佔比位居前三，且隨製程演進呈提升趨勢。

該機構進一步強調，多重曝光、先進金屬材料替代及新型結構引入，使設備數量與工藝複雜度同步提升，設備投資呈現「技術節點越先進、單位投資越高」的乘數效應，核心平台型設備商與細分龍頭有望持續受益。