閃迪正顯著加快高帶寬閃存（HBF）的商業化進程。這一被業界視為AI推理時代關鍵存儲層級的新技術，正吸引閃迪、SK海力士與三星電子全面入局，標誌着繼HBM之後，存儲行業下一輪結構性競爭已正式打響。

4月13日，據韓國媒體ETNews援引The Bell報道，閃迪已開始與材料、零部件及設備合作伙伴接洽，着手搭建HBF原型產線生態，計劃於今年下半年推出原型產品。該試產線預計於2026年下半年竣工並投入運營，商業化目標定於2027年。

報道援引知情人士稱，隨着樣品生產加速推進，閃迪可能將此前規劃的HBF開發時間表整體提前約半年，顯示出搶佔市場先機的強烈意圖。

HBF的推進對AI硬件產業鏈具有深遠影響。該技術通過在NAND閃存中引入硅通孔（TSV）堆疊封裝，可在維持高帶寬的同時提供約10倍於HBM的存儲容量，專為填補HBM與SSD之間的存儲層級斷層而設計。隨着AI工作負載加速向推理階段遷移，這一技術缺口的戰略價值日益凸顯。

設備與材料產業鏈：HBM積累優勢直接遷移

閃迪在HBM及NAND領域均具備設計、封裝與量產經驗，這為其向HBF領域發力奠定了技術基礎。

據ETNews報道，由於HBF與HBM在工藝流程上高度相似，HBM產線積累的設備、材料與零部件生態有望在HBF領域延續技術領先優勢。

具體而言，用於實現堆疊NAND芯片間信號傳輸的TSV工藝設備、固晶用鍵合材料及相關設備，預計仍將由已在HBM市場建立強競爭力的企業主導。這一技術路徑的延續性意味着，現有HBM設備供應商的潛在市場空間將隨HBF的推進而直接擴大。

材料端亦出現新動向。韓國Hanul Materials Science旗下子公司JK Materials近日宣佈，已完成用於HBF的高性能聚合物開發工作，並已向主要客戶供貨。報道指出，該公司的高性能KrF聚合物是實現數百層NAND閃存堆疊所需的關鍵化學材料。

三巨頭競爭格局：標準話語權與專利佈局同步展開

在競爭格局層面，SK海力士與閃迪正通過OCP工作組推進標準化，試圖在規範制定層面建立先發優勢。此前業界預計，三星電子與閃迪計劃於2027年底至2028年初將HBF集成至英偉達、AMD及谷歌的產品中。

三星方面，據《朝鮮日報》報道，三星電子自2020年代初便已開展HBF研究，近期更密集收購一系列HBF相關專利，積極拓展技術儲備。儘管尚未作出類似SK海力士的公開宣佈，但其專利佈局動作表明，三星正穩步推進HBF賽道佈局。

被譽為「HBM之父」的韓國科學技術院教授Kim Joungho近期表示，HBF的落地節奏較此前預期明顯提前。他預計，HBF將在HBM6推出階段實現廣泛應用，並於2038年前後在市場規模上超越HBM。同時他指出，得益於HBM積累的工藝與設計經驗，HBF的商業化周期將遠短於當年HBM的開發歷程。

HBF的戰略定位：填補AI推理時代的存儲層級缺口

HBF的核心價值在於構建一個介於超高速HBM與大容量SSD之間的全新存儲層級。SK海力士指出，在AI推理場景下，隨着用戶規模快速擴張，現有存儲架構面臨高容量數據處理與功耗效率難以兼顧的結構性矛盾——HBM帶寬卓越但容量有限，SSD容量充裕但讀寫速度不足。

HBF通過垂直堆疊NAND閃存，在維持高帶寬的同時提供約10倍於HBM的存儲容量，專為彌合這一技術缺口而設計。在系統架構中，HBM負責處理高帶寬需求，HBF則作為支撐層承接容量擴展任務，兩者協同覆蓋AI推理對海量數據處理與功耗效率的雙重要求。

SK海力士總裁兼首席開發官Ahn Hyun表示：「AI基礎設施的關鍵在於超越單項技術的性能競爭，實現整個生態系統的優化。」SK海力士同時指出，HBF成為行業標準將為整個AI生態系統的共同成長奠定基礎。