智通財經APP獲悉，財通證券發布研報稱，半導體材料板塊正在同時獲得景氣上行、先進工藝通脹、份額提升、國產替代四重驅動。先進邏輯的落地、3DNAND的迭代、HBM與先進封裝並非只帶來材料用量提升，特別是在CMP、靶材、光刻膠、刻蝕液、清洗液等環節形成規格升級和價格抬升的複合通脹，相關材料將展現出強於行業平均的增長彈性。建議關注卡位需求通脹以及對日替代關鍵邏輯的重要半導體材料公司。

財通證券主要觀點如下：

AI算力、數據中心和智能終端持續放量，正在推動全球半導體景氣進入上行階段，並直接帶動晶圓廠資本開支水平與稼動率維持高位

在這一背景下，半導體材料因具備消耗和復購屬性而成為產能落地後的終局受益品種。更進一步，在先進邏輯、HBM、3DNAND等高複雜度工藝中，部分重要材料品類並非簡單跟隨晶圓片數增長，而是呈現單片用量上升、品類數增加、或價格抬升的複合通脹，因此在行業景氣上行階段，部分產業鏈環節呈現更強的增長彈性和業績落地確定性。除此之外，當前在晶圓廠擴產、疊加供應鏈安全重估及對日替代預期強化背景下，下游fab對本土材料導入意願明顯增強，部分材料的驗證節奏和國產化率正加快抬升，半導體材料板塊正在同時獲得景氣上行、先進工藝通脹、份額提升、國產替代四重驅動。

半導體材料關鍵品類正呈現出先進工藝需求「通脹」屬性，高度受益於此輪景氣上行

首先，CMP拋光材料在邏輯芯片從250nm縮至7nm時，拋光步驟增至30次，拋光液種類從5種增至20餘種;存儲芯片從2DNAND到3DNAND，CMP步驟近乎翻倍。靶材同樣是典型「通脹型」耗材，3DNAND從128層升至232層以上時單片晶圓消耗量增加超40%，HBM單顆芯片銅靶用量達傳統芯片3倍以上。光刻膠方面，7nm及以下多重曝光使單位晶圓消耗量顯著增。刻蝕液方面，從65nm到7nm刻蝕步驟激增超300%。清洗液方面，從80-60nm到20-10nm清洗步驟從100步增至200步以上。因此，先進邏輯的落地、3DNAND的迭代、HBM與先進封裝並非只帶來材料用量提升，特別是在CMP、靶材、光刻膠、刻蝕液、清洗液等環節形成規格升級和價格抬升的複合通脹，相關材料將展現出強於行業平均的增長彈性。

半導體材料國產替代正在從長期邏輯走向加速兌現

目前，我國半導體材料整體國產化率僅為15%，高端領域仍高度依賴進口。其中，光刻膠的國產化落地最為迫切，日本JSR、TOK等五家企業壟斷全球約95%份額，我國當前KrF光刻膠國產化率僅約3%，ArF不足1%，EUV幾乎為零，若高端光刻膠納入出口管制，供應鏈中斷風險將急劇放大，國內光刻膠產業鏈迎來明確的替代窗口。溼電子化學品方向，高端刻蝕液市場仍高度集中於海外廠商，疊加上游含氟電子特氣供給受限和出口管控趨嚴，國內具備高純刻蝕液量產能力的企業有望迎來導入提速。CMP材料和靶材方面，政策支持、下游擴產和供應鏈安全重估，正在提高fab對本土材料的導入意願。近期，中國對鎢實施出口管制後，全球六氟化鎢供應鏈趨緊，日本鎢靶龍頭的出貨能力受限，進一步為國內高純靶材企業打開份額提升窗口。

風險提示：技術與良率/爬坡風險，需求不及預期風險，地緣與貿易摩擦。