隨着行業對邏輯芯片和存儲芯片的需求持續旺盛，ASML繼續加大對人工智能驅動型基礎設施的投資。

ASML表示，在可預見的未來，先進邏輯和存儲芯片的供應仍將受到限制。

在 2026 年第一季度財報電話會議上，ASML 總裁兼首席執行官 Christophe Fouqet 強調，隨着 AI 工廠規模擴大到下一個階段，對先進邏輯和存儲芯片的需求呈指數級增長，公司加大了對必要工具的投資，以加快 AI 生態系統中先進邏輯和存儲芯片的生產。

客戶正在積極增加產能，其背後的原因是解決包括人工智能、移動設備和個人電腦在內的終端市場面臨的產能限制。

該公司公布了2026年第一季度按系統劃分的銷售額，其中51%的市場份額來自存儲器相關終端應用系統，其餘49%的銷售額來自邏輯設計。EUV光刻技術仍保持領先地位，收入份額達66%，而DUV光刻機（ArF浸沒式）的收入份額為23%。

韓國半導體工廠是全球最繁忙的地區，佔比45%，其次是台灣（23%）和中國大陸（19%）。美國位列第四，佔比12%（2026年第一季度）。ASML的大部分EUV/DUV系統供應給三星、台積電、中芯國際和英特爾。ASML目前被限制向中國大陸銷售其高端EUV光刻設備，但DUV設備的銷售不受限制。然而，由於美國立法者正計劃禁止向中國大陸出口DUV技術，這種情況可能會發生變化。

ASML總裁兼首席執行官Christophe Fouqet表示：展望未來市場，半導體行業的增長前景持續穩固，這主要得益於人工智能相關基礎設施的投資。這些投資正在推動諸多領域對先進邏輯芯片和存儲芯片的需求增長。在可預見的未來，需求將繼續超過供應。這將對從人工智能到移動設備和個人電腦等終端市場造成供應緊張，並促使我們的客戶積極擴充產能。

隨着DRAM製造商向更新的工藝節點轉型，存儲器領域對尖端EUV和DUV光刻機的需求也在持續增長。ASML的訂單量持續增加，並表示正與合作伙伴攜手滿足其需求，同時提供「生產力升級」方案，以在短期內優化生產效率。

內存芯片需求的增長主要來自SK海力士、三星和美光等HBM廠商，他們依賴EUV光刻技術來製造HBM3E、HBM4和HBM4E等新一代標準芯片。這些新標準對於NVIDIA和AMD即將推出的加速器至關重要，而這些加速器的需求量將非常旺盛。

ASML總裁兼首席執行官強調，除了擴大產能外，先進的DRAM和邏輯器件客戶在新工藝節點上持續採用EUV和浸沒式深紫外光刻技術，這進一步增加了他們對光刻技術的需求。因此，ASML的訂單量持續強勁，我們與客戶保持緊密聯繫，以滿足他們的需求。同時，我們還為客戶提供現有設備的產能升級方案，以滿足其短期產量需求。

展望未來，ASML正致力於研發升級版低數值孔徑EUV光刻機，其每小時產量至少可達330片晶圓。該系統預計將於下一個十年之初交付。ASML還發布了新款NXE:3800E PEP-E光刻機，在套刻精度相近的情況下，晶圓產量從每小時220片提升至每小時230片。

ASML表示，在技術方面，我們持續取得顯著進展，並在今年二月於聖何塞舉行的SPIE先進光刻和圖案化會議上重點展示了多項最新成果。會上，我們發布了更新後的低數值孔徑EUV產品路線圖，其中體現了我們對這些產品短期和長期計劃的改進。這包括在下一個十年之初實現低數值孔徑EUV每小時至少330片晶圓的加工能力，這主要得益於我們持續改進光源功率，正如我們近期演示的1000瓦光源所證明的那樣。

根據ASML的路線圖，該公司預計將在2029-2030年推出其先進的NXE:4200G低數值孔徑系統，晶圓輸出能力至少為300瓦/小時。與此同時，高數值孔徑EVU系統將推出EXE:5200D，提供2納米以下級芯片（A14及以下），晶圓輸出能力至少為175瓦/小時。

ASML計劃到下一個十年初將其芯片產量提高50%，方法是將其設備中光源的功率提高66%。雖然這要到2030年才能實現，但該公司正致力於通過升級現有和即將推出的設備，提高晶圓產量，來解決供應緊張的問題。