在經歷一輪史詩級上漲後，半導體板塊開始顯現估值過熱擔憂。追蹤芯片板塊的iShares半導體ETF(SOXX.US)此前連續18個交易日上漲，創罕見連漲紀錄，但這一勢頭周一告終，iShares半導體ETF收跌1.34%。市場焦點隨之轉向，投資者是否仍應繼續追逐芯片股。

在截至上周五的18連漲期間，iShares半導體ETF累計上漲近50%，上周五還在英特爾(INTC.US)強勁業績及AMD(AMD.US)獲分析師上調評級推動下單日上漲近5%。不過，快速上漲也令估值壓力升溫。

根據FactSet數據，iShares半導體ETF當前遠期市盈率接近26倍，明顯高於10年平均約19倍水平，並較標普500指數溢價17%。而歷史上，該ETF通常相較大盤存在小幅折價。

分析人士指出，當前市場幾乎在「為完美定價」。Interactive Brokers首席策略師Steve Sosnick警告，當前主要風險在於市場預期過高，企業業績可能難以持續超預期。

從個股表現來看，本輪上漲幾乎覆蓋整個芯片板塊。即便表現最弱的高通(QCOM.US)自3月30日以來也上漲16%。而英偉達(NVDA.US)雖然上漲22%，在板塊中甚至被視作「落後者」。

漲幅領先的包括Credo Technology(CRDO.US)、Astera Labs(ALAB.US)和英特爾，三者在18連漲期間均實現翻倍。與此同時，邁威爾科技(MRVL.US)、AMD、德州儀器(TXN.US)、美光科技(MU.US)以及Arm Holdings(ARM.US)漲幅均超過50%。

Bespoke Investment Group指出，走勢與iShares半導體ETF大致同步的費城半導體指數，當前可能已顯過熱。歷史上，僅有一次18日區間漲幅高於本輪，那是在2002年互聯網泡沫破裂後低點反彈階段。

不過，並非所有細分板塊都被認為估值透支。Mizuho分析師Jordan Klein認為，在CPU概念股狂熱推升下，存儲芯片或仍存在更優性價比。

他指出，儘管美光(MU.US)和閃迪(SNDK.US)同樣大幅上漲，其估值明顯低於AMD、Arm和英特爾。美光未來12個月預期市盈率僅約6倍，閃迪約10倍，而AMD、英特爾和Arm分別高達42倍、74倍和103倍。

市場人士認為，這意味着資金未來可能從高估值AI算力主線部分輪動至存儲板塊。尤其在AI帶動存儲需求結構性增長背景下，美光和閃迪或仍具重估空間。

不過，也有策略師提醒，半導體本質仍是周期行業。JonesTrading首席市場策略師Mike O’Rourke指出，當前行業確實處於強勁增長周期，需求短期仍有支撐，但周期越大，上行尾聲風險也可能越高。