周四， 聯電盤初升逾7%，年內已累計上升逾118%。消息面上，聯電近日宣佈推出用於顯示驅動IC的14nm eHV(嵌入式高壓)FinFET技術平台，宣稱可較其最先進的量產eHV製程(基於22nm)降低40%功耗、節省35%芯片面積。
據介紹，22nm eHV製程支持更小型、輕薄的驅動模塊設計，進一步延長移動設備的電池續航，支持高階與摺疊式OLED智能手機顯示應用。
周四， 聯電盤初升逾7%，年內已累計上升逾118%。消息面上，聯電近日宣佈推出用於顯示驅動IC的14nm eHV(嵌入式高壓)FinFET技術平台，宣稱可較其最先進的量產eHV製程(基於22nm)降低40%功耗、節省35%芯片面積。
據介紹，22nm eHV製程支持更小型、輕薄的驅動模塊設計，進一步延長移動設備的電池續航，支持高階與摺疊式OLED智能手機顯示應用。
免責聲明：投資有風險，本文並非投資建議，以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請，作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考，不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證，投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。