金吾財訊 | 聯華電子(UMC)周四宣佈，正式推出業界首款專為顯示驅動芯片(DDIC)設計的14nm嵌入式高壓(eHV)FinFET技術平台。目前，該工藝的設計套件(PDK)已向客戶開放，標誌着顯示驅動技術從平面晶體管向三維FinFET架構的跨時代邁進。作為聯電在顯示驅動領域的尖端工藝，14nm eHV FinFET平台已在其12A晶圓廠成功通過驗證。相比目前市場上最先進的22nm eHV量產方案，新平台實現了三大方面的性能飛躍：1)功耗降低： 能夠實現高達40%的功耗削減，顯著延長高端智能手機的電池續航。2)尺寸縮減： 芯片面積縮小約35%，助力手機製造商打造更輕薄的顯示模塊。3)性能增強： 採用FinFET結構取代傳統的平面晶體管，優化了I/O器件並提升了驅動速度。這不僅確保了信號完整性，還能支持高分辨率顯示應用所需的高刷新率要求。聯電技術開發副總裁表示，作為顯示驅動芯片市場的領導者，此次推出14nm eHV平台是聯電的重要里程碑。通過首次將FinFET技術引入該領域，聯電旨在協助客戶將更具創新性的功能轉化為可量產的高端產品。目前，聯電是全球唯一提供22nm顯示驅動芯片方案的代工廠，在OLED驅動市場佔據絕對領先地位。隨着14nm平台的加入，聯電的高壓工藝解決方案已全面覆蓋從0.6μm至14nm的極廣工藝節點，進一步加深了其在高端半導體供應鏈中的競爭護城河。截至發稿，聯華電子美股股價盤前走強，最新報17.25美元，上漲8.35%。