AI算力需求的爆炸式增長，正將半導體封裝材料推向一場深刻的代際變革。在摩爾定律物理極限日益逼近的背景下，以玻璃通孔（TGV）技術為核心的玻璃基板，正從實驗室走向規模化量產，有望取代傳統硅基與有機基板，成為下一代先進封裝的主流載體。

西部證券在5月17日發布的行業深度報告中給予玻璃基板行業"超配"評級，預計2028年全球先進封裝TGV市場規模將接近80億美元，2030年滲透率提升至50%，市場規模有望進一步擴大。

英特爾、三星、台積電等全球半導體巨頭已相繼將玻璃基板納入核心技術路線圖。英特爾明確將其列為2026至2030年封裝技術路線圖的核心支柱，目標實現10倍以上互連密度提升；三星電機已於2026年4月開始向蘋果供應半導體玻璃基板樣品，計劃2027年後量產；台積電則將玻璃基板作為CoWoS封裝技術下一代迭代的核心方向。巨頭的集體背書，標誌着產業界已形成"從硅到玻璃"的技術共識。

傳統方案觸及物理極限，玻璃基板（TGV）填補空白

AI大模型訓練芯片對算力基礎設施的需求持續攀升，傳統封裝基板的固有缺陷在大尺寸、高頻場景下愈發凸顯。

有機基板的熱膨脹係數是硅的六至七倍，當封裝尺寸達到AI芯片級別時，溫差引發的翹曲問題可能導致焊球開裂乃至芯片失效。與此同時，有機基板的高介電損耗使超高頻信號在傳輸過程中嚴重衰減，迫使數字信號處理器超負荷運轉，形成"信號劣化—功耗上升—散熱惡化"的惡性循環。

台積電CoWoS封裝通過引入硅中介層部分解決了上述問題，但硅中介層需佔用晶圓產能與潔淨室資源，一塊大型硅中介層的價格超過100美元，僅中介層一項就可能佔到總封裝成本的一半以上，成本瓶頸制約了其大規模推廣。

玻璃基板由此應運而生。玻璃的相對介電常數約為3.8，遠低於硅材料的11.7；損耗因子較硅低2至3個數量級，可使信號傳輸速率提升3.5倍、帶寬密度提高3倍、能耗降低50%。此外，玻璃具備"可調熱膨脹係數"優勢，通過選用特定牌號，可精準匹配硅芯片，有效控制封裝翹曲。

TGV技術：從實驗室到量產的關鍵跨越

玻璃通孔（TGV）技術的核心，在於在超薄玻璃基板上製作微米級垂直導電通孔，為芯片間構建最短的電信號傳輸路徑。該技術概念由德國邁克爾博士於2010年首次提出，2023年由英特爾率先延伸至封裝基板領域。

TGV的核心工藝壁壘集中於兩個環節：一是在脆性玻璃上高質量形成高深寬比通孔，二是對通孔進行可靠的金屬化填充。過去，這兩個環節的良率與效率長期無法滿足量產要求，使TGV停留在實驗室階段。

近年來，全球產業鏈的持續研發投入已打通關鍵瓶頸。在成孔工藝方面，國內企業沃格光電於2024年實現最小3微米孔徑、150:1高深寬比的加工能力；2026年，華日激光工業級設備可實現孔徑小於3微米、百萬孔一致性大於95%。在金屬化工藝方面，上海天承科技自主研發的電鍍技術已實現孔徑20至50微米通孔的完全填充且無空心。在高密度佈線方面，2025年芯德半導體突破TGV超細線路再佈線層，實現線寬/線距不超過2微米，滿足高帶寬存儲器集成需求。

當前，晶圓級TGV基板成本已較傳統TSV技術下降約30%。隨着從晶圓級向面板級升級、良率提升至85%以上，以及產業鏈國產化協同推進，TGV單位成本有望進入快速下降通道，逐步從高端AI、HBM場景向消費電子、車載電子等更大規模市場滲透。

三大需求場景驅動，市場空間廣闊

AI算力與HPC是TGV最大的基本盤。 台積電CoWoS-S技術對轉接板的需求面積從2017年的1200平方毫米快速提升至2026年的2700平方毫米，傳統硅中介層在大尺寸下良率暴跌、成本指數級上升，而玻璃基板可輕鬆實現大尺寸製備並保持極低翹曲度。西部證券預計，2028年全球先進封裝TGV市場滲透率將達30%，市場規模接近80億美元。

HBM高帶寬存儲構成第二增長曲線。 HBM4的堆疊層數已達12至16層，未來HBM6將突破24層，有機基板的熱膨脹係數不匹配導致的翹曲將直接造成良率損失。三星聯合Chemtronics開發71×71毫米玻璃中介層，應用於GPU與HBM互連，2028年有望量產；SK海力士在HBM4路線圖中明確提及將探索採用玻璃基板技術，並計劃2026年第三季度量產16層48GB HBM4器件。

光通信與CPO光電共封裝是率先落地的細分場景。 1.6T/3.2T光模塊的電信號速率已突破100Gbps PAM4，傳統有機基板的介電損耗已無法滿足需求。國內沃格光電旗下通格微的1.6T光模塊玻璃基載板相關產品已完成小批量送樣；京東方於BOE IPC 2024正式發布面向半導體封裝的玻璃基面板級封裝載板，成為大陸首家從顯示面板轉向先進封裝的業務部門。

全球競爭格局：美歐日主導，國內加速突破

當前TGV行業呈"金字塔"競爭格局，整體處於從研發驗證向規模化量產過渡的關鍵拐點。

海外方面，康寧憑藉熔融製程專利技術，可實現TGV孔徑20至100微米、縱橫比10:1；英特爾採用激光改質加化學蝕刻複合工藝，通孔深徑比可達100:1、最小孔徑僅5微米，較行業現有水平提升30%以上；三星採用F0PLP技術，使用510×515毫米玻璃面板，通孔位置精度優於±2微米，HBM4全面採用TGV。

國內方面，產業鏈全鏈條佈局已初步形成。上游材料端，戈碧迦的半導體玻璃基板產品已向國內多家知名半導體廠商送樣，載板產品已通過多家廠商驗證並獲得訂單。

中游製造端，沃格光電已具備TGV玻璃基板量產能力和年產10萬平方米的智能化產線，可實現深寬比100:1、最小孔徑5微米；雲天半導體率先實現國內規模化量產TGV技術，深寬比突破100:1；京東方自2024年啓動玻璃基板中試線項目，截至2025年6月底已實現設備進場。設備端，帝爾激光於2026年1月完成面板級玻璃基板通孔設備首批出貨，打破海外廠商在該領域的技術與市場壟斷。

三條路徑佈局

西部證券建議投資者沿三條主線佈局。

主線一為全鏈條佈局的行業龍頭，優先關注具備特種玻璃基材量產能力、TGV全鏈條技術佈局、下游客戶生態完善的廠商。

主線二為核心工藝突破的設備廠商，關注在TGV通孔製備、金屬化核心工藝上實現突破、已進入頭部供應鏈的廠商。

主線三為下游應用落地的龍頭廠商，關注率先佈局TGV技術應用、實現產品性能升級的先進封測與光模塊龍頭，相關企業包括通富微電、長電科技、新易盛等。