智通財經APP獲悉，群智諮詢發文稱，2026年第二季度，全球Memory市場延續超級存儲周期，供需短缺貫穿全季度，價格呈顯著分化特徵。AI算力需求主導產能分配，消費電子用DRAM與NAND供應緊張未緩解。根據群智諮詢預測，二季度Memory價格繼續上行但漲幅分化、部分品類價格漲幅趨緩。其中，DRAM價格分化顯著，漲勢逐步趨緩；NAND漲勢延續，供給缺口凸顯。

各產品價格趨勢具體分析如下：

DRAM：價格分化顯著，漲勢逐步趨緩

2026 年第二季度DRAM價格延續上漲趨勢，以 LPDDR4X/LPDDR5X 為主的消費電子 DRAM 合約價延續強勁的上漲態勢，在消費電子端，手機應用端 DRAM 合約價保持着高幅度的上漲，按月上漲約90%，而DDR4合約價漲幅相較於一季度則有所放緩，漲幅趨緩至約50%。

需求端：AI 服務器的 「虹吸式」 的強大需求，依舊是推動市場變化的核心驅動力。它使得高帶寬內存的需求始終保持旺盛狀態。而在消費電子領域，需求卻呈現出兩極分化的態勢。中高端終端產品由於對性能和體驗的追求，其存儲規格難以向下調整，這就使得對應DRAM的需求具備較強的剛性，無法通過降低規格來緩解成本壓力。與之相反，低端消費電子市場對價格極為敏感，價格的上漲顯著抑制了其需求，進而導致這部分DRAM的整體需求出現下滑。

供應端：隨着高附加值內存產品邁入量產階段，其複雜的工藝不僅增加了生產難度，而且單位晶圓產能的消耗更為顯著，這無疑進一步壓縮了消費端DRAM的產能空間。與此同時，存儲原廠的庫存處於歷史低位水平，擴充產能的能力有限，並且在產能分配上優先滿足AI客戶的需求，使得消費端DRAM的供應進一步收緊。

整體來看，本季度 DRAM 的供需短缺問題依舊嚴峻，價格雖然持續上漲，但分化程度愈發加劇。DDR品類的漲幅率先開始收窄，而LPDDR品類則維持着高幅度的補漲。

NAND：漲勢延續，供給缺口凸顯

群智諮詢預計2026 年第二季度，NAND閃存價格延續了之前的上漲勢頭，漲勢迅猛，且供給缺口顯著擴大，其中手機應用端NAND價格按月上漲約100%，消費級SSD價格按月上漲約54%。

需求端：在AI算力需求高速增長的大背景下，高附加值的NAND產品在產能分配中佔據優先保障地位，訂單增長的步伐並未放緩，這進一步加劇了消費級NAND市場的緊張氛圍。從消費端來看，大容量存儲配置的趨勢不斷深化，中高端終端產品對 NAND 的需求剛性很強，難以降低配置，這進一步穩固了消費端對NAND的需求。此外，部分消費級NAND產品與AI 產品在製程上存在重疊，導致其供給缺口在全產品線中較為明顯。

供應端：頭部存儲廠商優先將先進製程產能分配給AI產品，消費電子用 NAND 的產能受到明顯排擠。目前，主流廠商的產能利用率已經達到滿載狀態，難以在短期內快速釋放額外產能，供應緊張的態勢將持續存在。

群智諮詢認為，短期而言，由 AI 驅動的產能結構性傾斜趨勢難以在短期內得到逆轉，消費電子終端用 NAND 的供需缺口難以得到實質性的緩解，因此本季度價格將繼續保持強勁的上漲態勢。