快科技5月22日消息，據媒體報道，美國佐治亞理工學院的研究團隊成功研製出一款新型NAND閃存。

該閃存不僅能夠高效處理人工智能（AI）任務，還能承受太空環境中的極端輻射，其抗輻射能力達到傳統NAND閃存的30倍。

這款新型閃存利用了與硅工藝兼容的氧化鉿材料的鐵電特性——即材料在一定溫度範圍內會自發產生極化，且極化方向可在外部電場作用下翻轉。

這一特性使鐵電材料在信息存儲、傳感、人工智能及新一代低功耗芯片等領域展現出廣闊的應用前景。

測試結果顯示，該鐵電閃存可承受高達100萬拉德（輻射吸收劑量）的輻射，相當於1億次X射線照射，其輻射耐受性達傳統存儲器的30倍。