金吾財訊 | 全球半導體先進材料與純度解決方案商英特格(ENTG)與日本材料創新巨頭JSR Corporation及其子公司Inpria聯合宣佈，雙方已達成一項非獨家全球專利交叉許可協議，旨在消除法律障礙，共同推進用於下一代芯片製造的極紫外(EUV)光刻技術發展。根據協議條款，雙方將圍繞核心的金屬氧化物光刻膠(MOR)專利進行交叉授權。作為該協議的一部分，雙方已正式同意終止目前在美國專利商標局(USPTO)進行的雙方複審挑戰程序(IPR2025-00267)。Entegris高級副總裁兼首席戰略與創新官 Olivier Blachier 表示：「隨着半導體行業向更小節點演進，材料創新與純度可靠性已密不可分。此次交叉授權體現了行業生態協同創新的趨勢，能夠幫助晶圓製造客戶更有信心、更低風險地導入下一代光刻技術。」JSR株式會社高管木村徹(Toru Kimura)同樣指出，將Inpria的光刻膠創新與Entegris的純化及材料處理能力相結合，將大幅拓寬這些尖端技術在半導體材料生態系統中的應用適用性。除了專利授權，兩家公司還宣佈將探索在未來光刻膠材料領域的深度合作，涵蓋配方研發、前驅體合成，以及大批量生產(HVM)中的超高純度過濾輸送系統開發，以確保新型材料在晶圓廠大規模量產中的性能穩定性。值得一提的是，隨着半導體微縮製程向更小節點(如2nm及以下)邁進，傳統光刻膠的物理極限日益凸顯，而金屬氧化物光刻膠(MOR)因其卓越的分辨率和更低的線邊緣粗糙度，已經被視為AI時代高數值孔徑(High-NA)EUV光刻的關鍵核心材料。