三星實現全球首個900層V-NAND原型系統，遠超當前321層量產紀錄，並驗證實際運行能力。藉助雙片鍵合（CMB）技術突破堆疊物理極限，三星在研發端實現跨代領先，有望重奪存儲技術主導權，並為AI服務器與高性能存儲市場構築更高壁壘。

三星電子在NAND閃存堆疊技術領域取得重大突破，有望重新確立其在全球存儲芯片市場的技術主導地位。

據韓國電子新聞報道，三星電子近期成功實現全球首個900層級V-NAND原型系統，並驗證了正常的單元運作特性。這一成果意味着三星在研發階段一舉跨越至900層高地，而當前量產市場的最高紀錄仍停留在321層。消息公布後，業界普遍認為三星已在下一代NAND技術競爭中搶佔有利位置，同時為應對中國廠商的價格與產能攻勢構築起更高的技術壁壘。

三星不僅在量產端推進第十代V-NAND（V10，400層以上）的準備工作，同時在研發端實現跨代式領先，雙線並進的佈局有助於鞏固其在AI服務器及端側AI存儲市場的長期競爭力。

雙片鍵合突破物理極限

三星此次900層V-NAND的實現，依託的是"單元多重鍵合"（Cell Multi Bonding，CMB）技術——將兩片各450層的單元晶圓接合為一體，從而在單一芯片尺寸內實現容量的大幅躍升。

NAND閃存的核心邏輯在於垂直堆疊：層數越高，單位面積內可存儲的數據量越大，功耗效率也隨之提升。這一特性使高層數NAND成為AI服務器、數據中心SSD及智能手機等高容量、高效率應用場景的關鍵部件。

然而，堆疊層數的提升並非沒有代價。隨着層數增加，晶圓翹曲（Warpage）和對準偏差（Misalignment）成為制約良率的核心難題。三星通過引入高精度上部卡盤（Upper Chuck）設計解決了翹曲問題，並開發出獨有的"新覆蓋校正"（Overlay Correction）技術克服對準誤差。此外，新型位線（BL）及字線（WL）結構的引入，使芯片在降低功耗的同時實現了尺寸的進一步縮減。

三星方面表示，已對該原型"驗證了正常的單元運作特性"，強調這一成果超越了理論層面的堆疊演示，達到了實際可運行的技術水準。

SK海力士領跑量產

在當前量產市場，SK海力士以321層4D NAND保持最高層數紀錄，領先於三星的現有量產產品。三星正加速推進V10代產品的量產準備，以期在商業化層面縮小差距。

面對競爭對手的威脅，三星900層原型的戰略價值不僅在於技術本身，更在於其釋放的市場信號。

有業界人士指出，"900層NAND技術並非簡單的300層三倍疊加，而是對堆疊工藝範式的根本性變革。這向全球客戶傳遞出三星仍是技術領導者的明確信息，同時將對中國企業的產能與價格攻勢形成制約效應。"

從3D商用化到堆疊範式演進

三星於2013年率先實現3D V-NAND商業化，此後持續推動工藝迭代以突破堆疊極限。

早期採用的"單一堆疊"方式通過一次性蝕刻微孔完成堆疊，但隨着層數提升，晶圓變形與對準困難等物理瓶頸日益凸顯。CMB技術的引入，標誌着三星在工藝路線上完成了從單一堆疊向多片鍵合的範式轉變，為邁向1000層NAND時代奠定了技術基礎。