TradingKey - 據韓媒《THE ELEC》周一報道，美光科技(MU)第六代高帶寬內存HBM4產能爬坡速度較HBM3 12層產品快兩倍，良率同步改善。與此同時，美光將下一代HBM4E的基底芯片轉由台積電代工，計劃2027年量產。

市場對美光的預期從三個月前的「被排除在英偉達（NVDA）供應鏈之外」逆轉到如今的「關鍵供應商」，市場的關注點在於這種逆轉能否助推美光股價衝破1000美元？

HBM4首年訂單曾陷「清零」危機

2026年2月9日，行業分析機構SemiAnalysis發布報告，將美光在英偉達Vera Rubin平台的首年HBM4訂單份額預測「下調至零」，預計SK海力士拿下約70%、三星囊括30%。

美光堅持內部自主設計和製造HBM4基礎裸片，未藉助外部先進製程，樣品在引腳速度等關鍵指標上被拉開差距。

美光陷入這一危機，根源在於戰略選擇：在迭代快、與邏輯製程深度綁定的HBM領域，它當時低估了客戶對先進代工的依賴。

Q1宣佈量產，HBM4重回供應鏈

3月17日，美光宣佈專為英偉達Vera Rubin平台設計的12層堆疊36GB HBM4已於2026年第一季度開始量產出貨。該產品引腳速率達11.2Gb/s，帶寬達2.8TB/s，能效較HBM3E提升23%。

美光全球運營副總裁Manish Bhatia確認，美光已成為Vera Rubin平台的關鍵供應商之一，直接打破了「份額清零」的市場預判。

儘管CounterPoint Research此前預測2026年全球HBM4市場份額中美光僅佔18%、SK海力士佔54%、三星佔28%，但Q1量產意味着美光至少保住了下一代AI計算平台首輪出貨份額，為後續爭取更大訂單提供了關鍵籌碼。

HBM4E轉單台積電，戰略路徑重大轉向

在更先進的HBM4E世代，美光戰略轉向明顯：核心DRAM升級至首次導入EUV光刻的1γ工藝，基底芯片不再自研，轉由台積電代工，計劃2027年量產。

美光還設定內部目標，2026年年中1γ DRAM與第九代NAND出貨量將佔總容量半數以上。三大廠商路徑分化：三星維持自研基底（4納米），SK海力士同樣採用台積電3納米代工，預計2026年下半年送樣、2027年量產。

這一轉向的實質是美光承認在工藝上存在短板，將最需要先進製程的環節外包給台積電。外包會增加成本，但換來的是產品性能和上市時間的保障。資本市場顯然更看重後者：滙豐、德銀等機構在轉向消息後大幅上調目標價，說明投資者願意為「糾錯」買單，而非堅持「自研」的情懷。

機構密集上調目標價

滙豐銀行5月19日將美光12個月內目標價從750美元上調至1100美元，理由是AI推動存儲需求持續走強。德銀將12個月內目標價從550美元上調至1000美元。花旗將目標價上調至840美元，對應2027財年市盈率8倍。

值得注意的是，投行密集上調目標價的行為本身也在推高市場預期。當前美光股價已部分消化這些利好，接下來的上漲需要HBM4實際出貨量和毛利率數據的持續兌現，而非僅僅依靠「轉單」敘事。

HBM4E轉單台積電的利好兌現仍需時間

然而，HBM4E轉單台積電的主要利好從2027年開始兌現，而Vera Rubin平台近兩年的高端AI內存供應已主要由SK海力士和三星佔據。CounterPoint預期美光2026年僅佔18%的份額，意味着在HBM4E量產前，美光在高端AI內存市場的份額追趕可能有限。

此外，本周市場關注周四公布的美國4月PCE通脹數據，若數據超預期可能壓制科技板塊估值。

綜合來看，美光已從「被排除」回到「量產」，並轉向外部代工，市場預期得到修復。但修復預期與兌現盈利之間，存在着時間差。若能確定2027年HBM4E順利量產且1γ良率達標，千美元目標價具備現實基礎。

但短期而言，18%的份額現實和PCE數據擾動，可能讓股價在衝高後進入震盪。市場已對美光「承認錯誤、藉助台積電」做出反應。接下來，股價要看實際業績，而非預期。

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