三星電子正在加速推進下一代高帶寬存儲器佈局。在HBM4量產數月後，該公司已開始向主要客戶交付HBM4E樣品，成為業內首家出貨該產品的廠商。

三星電子於5月29日宣佈，已開始向全球主要客戶發貨12層HBM4E樣品。該產品引腳傳輸速度穩定在14Gbps，性能可擴展至16Gbps，較HBM4提升逾20%，每個堆棧的內存帶寬達3.6TB/s，容量為48GB，較上一代增加逾30%。三星表示，將根據客戶時間表推進HBM4E量產。

通用DRAM價格同步上漲使HBM廠商的議價能力顯著增強，三星和SK海力士均無需依賴HBM衝量，得以在價格談判中保持強硬立場。三星HBM4此前的談判價格已在700美元左右，較上一代HBM3E高出20%至30%。

HBM4E技術規格：速度與容量雙升級

三星此次發貨的HBM4E採用12層堆疊結構，容量48GB，並計劃後續推出32GB（8層）和64GB（16層）版本以滿足不同客戶需求。

在性能參數上，HBM4E的內存帶寬達3.6TB/s，主要面向大語言模型（LLM）訓練及下一代AI系統的高強度數據處理場景。三星方面表示，與上一代相比，HBM4E能效提升16%，熱阻特性改善逾14%，有助於在高負載數據中心環境中延長可靠性並降低能耗。

工藝層面，HBM4E沿用三星第六代10納米級DRAM製程（1c）及三星晶圓代工4納米邏輯基底芯片，與HBM4共用核心技術路徑，旨在提升製程穩定性與良率。三星存儲開發部門執行副總裁Sang Joon Hwang表示，HBM4E再次體現了三星的技術差異化優勢，公司將持續推動全球AI存儲市場增長。

存儲價格全線上漲，韓國廠商利潤有望創歷史新高

市場認為通用DRAM價格暴漲後收益性已接近HBM，這使得三星和SK海力士在HBM定價上擁有更大的主動權。三星為實現利潤最大化，並未將DRAM產能過度轉移至HBM，而是審慎分配產能，這一策略進一步支撐了HBM的高價格區間。

HBM、通用DRAM及NAND閃存價格同步走高，為韓國存儲廠商帶來全面的盈利改善預期。摩根士丹利預測，三星電子今年全年營業利潤將達約245.7萬億韓元，按年增幅達464%；SK海力士全年營業利潤預計約179.4萬億韓元，按年增幅約280%。兩家公司的業績改善預計將貫穿全年。