納微半導體股價盤前大幅攀升，成為AI基礎設施投資熱潮中的最新受益者。公司宣佈與英偉達MGX生態系統展開合作，共同推進800 VDC人工智能基礎設施建設，消息提振市場情緒。

公司於5月29日參加了英偉達在中國台北南港展覽中心舉辦的合作伙伴典禮，並正在COMPUTEX 2026展會上展示其800 V至6 V直流-直流電源分配板（PDB）產品。該產品專為AI數據中心800 VDC機架架構設計，旨在提升系統效率與功率密度。

納微半導體首席執行官Chris Allexandre表示，隨着AI工作負載持續擴展，電力傳輸已成為構建下一代吉瓦級AI工廠最關鍵的挑戰之一。

周三納微半導體股價收漲19.26%。該股過去一年已累計上漲335%，年初至今漲幅達262%，市值約為62.1億美元。

消除中間轉換環節，直攻GPU供電

納微半導體此次展示的800 V至6 V電源分配板是其參與英偉達MGX生態系統的核心產品。

該產品的關鍵創新在於，直接消除了計算服務器托盤內傳統的48 V中間總線轉換器（IBC）環節，從而最大化系統效率、可靠性，並節省寶貴的物理空間。

從技術參數來看，該電源分配板搭載16顆GaNFast場效應管，額定電壓650 V、導通電阻11毫歐，採用最新DFN8×8雙面散熱封裝，目標峯值效率達97.5%，工作開關頻率為1 MHz，功率密度高達2100 W/in³。

此外，該板厚度比手機薄約20%，超薄外形允許其與GPU板進行極近距離集成，從而最大化瞬態性能並提升配電效率。

寬禁帶半導體組合：覆蓋從電網到GPU的全鏈路供電

納微半導體在此次合作中展示的不僅是單一產品，而是其覆蓋AI工廠全鏈路供電需求的寬禁帶（WBG）半導體技術組合。

在碳化硅（SiC）方向，公司的GeneSiC解決方案支持從電網到AI計算機架的高效電力傳輸，涵蓋採用2300 V和3300 V SiC功率模塊的固態變壓器，以及基於第五代技術1200 V SiC MOSFET的高功率三相電源供應單元。

在氮化鎵（GaN）方向，GaNFast技術憑藉MHz頻率運行能力、更高功率密度和更快瞬態響應，支持從機架級直接向GPU高效傳輸電力。公司目前已擁有逾300項已授權或待審專利。

股價強勢背後：營收超預期，但估值爭議猶存

納微半導體近期股價的強勁表現，部分得益於基本面的邊際改善。

公司此前公布的2026財年第一季度營收為860萬美元，超出市場預期的818萬美元。然而，每股虧損為0.15美元，明顯差於預期的虧損0.05美元。

與此同時，公司近期完成了一筆規模1.22億美元的按市價發行股票孖展，與Craig-Hallum Capital Group LLC及瑞銀證券簽署銷售協議，最高可發行1.25億美元A類普通股，所募資金料將用於支持公司在高功率市場及AI基礎設施領域的戰略佈局。

值得注意的是，據分析，在股價年內已大幅攀升的背景下，該股目前相對其公允價值估算存在高估。