三星電子在Computex 2026展會上首次公開第八代高帶寬存儲器HBM5原型，標誌着這家韓國芯片巨頭在AI存儲市場的產品佈局持續提速。在存儲價格全面走高的背景下，市場對韓國存儲廠商今年盈利的預期已大幅上調。
三星電子首席技術官Song Jae-hyuk在展會上表示，隨着AI系統日趨複雜，從存儲、晶圓代工到邏輯芯片與封裝的全價值鏈競爭力愈發關鍵。HBM5的核心技術亮點是名為Heat Path Block（HPB）的熱管理創新，通過在半導體晶圓之間引導熱量流動，有效緩解高密度堆疊芯片中的熱量積聚問題，從而提升性能穩定性與運行可靠性。
在HBM4E層面，三星已於5月下旬率先向全球主要客戶發貨12層HBM4E樣品，成為業內首家出貨該產品的廠商。HBM4E引腳傳輸速度穩定在14Gbps，可擴展至16Gbps，較HBM4提升逾20%，每堆棧帶寬達3.6TB/s，容量48GB，較上一代增加逾30%。
通用DRAM價格大幅上漲顯著強化了三星和SK海力士的HBM定價主導權，兩家公司盈利預期隨之大幅上調。摩根士丹利預測，三星今年全年營業利潤按年增幅或達464%，SK海力士增幅約280%。
HBM5：熱管理突破與先進工藝路線
三星此次展出的HBM5原型以HPB熱管理技術為核心創新點。隨着AI模型運算需求持續攀升，存儲帶寬隨之提升，密集堆疊芯片中的熱量積聚問題日益突出，直接威脅芯片的性能表現與使用壽命。三星表示，HPB技術通過在半導體晶圓之間引導熱量，將其從關鍵區域疏散，從而改善整體運行穩定性。
該技術已在HBM4E平台完成驗證，計劃隨HBM5正式商用。Song Jae-hyuk表示，具體推進節奏將視客戶需求而定，不排除提前商用的可能。在工藝層面，HBM5計劃引入三星第六代10納米級DRAM製程（1c DRAM）及2納米邏輯工藝節點。
Song Jae-hyuk進一步指出，HPB技術的實現需要對芯片架構多個層次進行重新設計並協同整合，三星作為集存儲、晶圓代工與封裝於一體的綜合半導體製造商，具備其他廠商難以複製的跨環節協同優勢。此外，三星正準備成為業內首家部署混合銅鍵合（hybrid copper bonding）先進封裝技術的廠商，該技術可進一步提升散熱效率與芯片性能，相關樣品已向多家客戶提供。
HBM4E：速度與容量雙升級，量產在即
在HBM5技術展望之外，三星此次在Computex展會上同步展示了HBM4E平台的晶圓及芯片組。展會信息顯示，該產品引腳傳輸速度達14Gbps，帶寬最高可達4TB/s，核心芯片採用1c DRAM製程，邏輯基底芯片則由三星晶圓代工以4納米工藝製造。
三星5月29日公告顯示，此次交付的12層HBM4E樣品能效較上一代提升16%，熱阻特性改善逾14%，有助於在高負載數據中心場景中延長可靠性並降低能耗。HBM4E與HBM4共用核心技術路徑，旨在提升製程穩定性與良率。三星存儲開發部門執行副總裁Sang Joon Hwang表示，HBM4E再次體現了三星的技術差異化優勢，公司將持續推動全球AI存儲市場增長。
在產品線規劃上，三星除現有12層48GB版本外，後續還將推出32GB（8層）與64GB（16層）版本，以覆蓋不同客戶需求，量產節奏將根據客戶時間表推進。
存儲價格全線上漲，韓國廠商盈利有望創歷史新高
三星在AI存儲技術端積極佈局的同時，整體存儲市場價格走勢也為其提供了有力支撐。市場認為，通用DRAM價格大幅上漲後，其收益性已接近HBM水平，三星和SK海力士均無需依賴HBM衝量維持營收，得以在價格談判中保持強硬立場。
三星採取審慎的產能分配策略，並未將DRAM產能過度轉移至HBM，這一做法進一步支撐了HBM高價格區間的維持。據報道，三星HBM4的談判價格已在700美元左右，較上一代HBM3E高出20%至30%。
HBM、通用DRAM及NAND閃存價格同步走高，為韓國存儲廠商帶來全面盈利改善預期。摩根士丹利預測，三星電子今年全年營業利潤將達約245.7萬億韓元，按年增幅達464%；SK海力士全年營業利潤預計約179.4萬億韓元，按年增幅約280%，兩家公司的業績改善預計將貫穿全年。