英偉達削減Vera Rubin機架內存配置的傳聞引發市場震動，但摩根士丹利認為，這恰恰印證了內存短缺的嚴峻程度，而非AI需求降溫的信號。

上周，研究機構SemiAnalysis發布報告稱，英偉達計劃將Vera Rubin機架的LPDDR5內存容量從55 TB削減至28 TB，SOCAMM內存模塊規格從192 GB縮減至96 GB。這一消息被市場解讀為AI需求走弱，直接導致美光（MU）股價在獲得英偉達HBM4認證的同日重挫13%，創2025年4月以來最大單日跌幅。摩根士丹利半導體分析師Joseph Moore隨即發布研究報告，對上述解讀予以反駁。

據追風交易台，摩根士丹利在最新報告中明確表示，已覈實確有部分機架將以較低配置出貨，但強調這一調整完全是供應端約束所致，而非需求疲軟。與此同時，該行將2026年全球半導體行業收入預測從8070億美元上調至8800億美元，並維持對MU和SNDK的增持評級，目標價分別為1050美元和1750美元。

傳聞屬實，但邏輯被市場誤讀

摩根士丹利在報告中確認，英偉達削減Vera Rubin機架內存配置的情況確實存在，但強調市場對此事件的解讀方向完全相反。

報告指出，英偉達及雲計算客戶願意購買能夠獲得的每一GB SOCAMM內存，一旦供應跟上，將立即恢復至更高配置。摩根士丹利認為，此次調整的唯一目的是將DRAM短缺對GPU機架銷售的衝擊降至最低，而這本身正是真實短缺存在的證據——而非重複訂購窗口期的產物。

從規模影響來看，假設明年建造5.3萬至7萬個機架，在55 TB配置下，機架SOCAMM需求將接近全球DRAM總需求的5%。 若全面減半，最極端情形下將減少約140萬TB的需求，相當於620萬TB市場規模的2%以上，且影響的是市場中價值更高的細分領域。摩根士丹利預計，更高配置將在出貨開始後不久恢復供應。

4月SIA數據：內存短缺無速效解法

摩根士丹利同步點評了6月5日發布的4月半導體行業協會（SIA）賬單數據，認為這進一步強化了內存供應持續緊張的判斷。

4月整體半導體銷售額按月下降2.2%，大幅優於摩根士丹利預估的-12.1%及10年季節性均值-10.6%，按年增速加速至106.4%。其中，內存表現尤為突出：DRAM銷售額按月僅下降3.7%，遠好於預估的-24.2%及5年均值-27.6%，按年增幅高達375.3%，3個月滾動按年增速達298.5%，創2001年以來歷史新高，均價按年增長已連續九個季度提速；NAND銷售額按月下降4.2%，同樣大幅優於預估的-11.2%，按年增幅366.0%，3個月滾動按年收入增速307.0%及均價增速213.4%均創歷史紀錄。

摩根士丹利指出，4月數據印證了內存短缺沒有快速解決方案的判斷。DRAM已成為AI基礎設施建設的主要瓶頸，HBM晶圓產能密集、潔淨室及EUV設備約束，以及NAND增量產能有限，共同支撐着"高位更持久"的定價環境。該行認為，長期供應協議（LTA）是供應緊張和超大規模雲廠商爭搶產能的症狀，而非本輪周期的成因。

上調預測，看好內存及AI供應鏈

基於上述判斷，摩根士丹利大幅上調了行業預測。2026年全球半導體收入預測從9100億美元上調至1.607萬億美元，按年增速預期從+91%提升至+103%，主要驅動力來自內存，其中DRAM預測從1503億美元跳升至5819億美元，NAND從677億美元升至2935億美元。2027年，該行預計行業收入將進一步增長22%至1.96萬億美元，主要受內存定價持續傳導驅動。

在個股層面，摩根士丹利維持MU增持評級，基準目標價1050美元（當前價格864美元，潛在上漲空間22%）；維持SNDK增持評級，基準目標價1750美元（當前價格1559美元，潛在上漲空間12%）。此外，該行繼續看好AI基礎設施受益標的NVDA（增持，目標價288美元）、AVGO（增持，目標價502美元）及ALAB（增持，目標價240美元），以及資本設備/供應鏈標的LRCX、KLAC和MKSI。

寬基市場同步改善，周期擴散信號增強

摩根士丹利指出，4月SIA數據的亮點不僅限於內存，寬基市場的全面超預期同樣值得關注，這表明本輪半導體上行周期正從AI驅動向更廣泛領域擴散。

分品類來看，分立器件、模擬芯片、MCU及MPU均超出摩根士丹利預估及10年季節性均值。工業領域正從周期低點重新加速，需求向非AI相關領域拓展，庫存消化進程持續推進。該行表示，儘管供應鏈已出現提價，但主要驅動力是成本轉嫁而非價值重新捕獲，ADI等少數公司除外。

摩根士丹利總結認為，4月數據進一步證明，當前半導體上行周期已不再是單純的AI窄口徑行情，而是日益演變為更廣泛的供應約束型上行周期。在此背景下，該行對模擬/MCU供應商ADI、NXP及ALGM亦維持積極看法。