三星電子與英偉達正將雙邊合作推向新的深度，談判範圍已從當前產品線延伸至下一代高帶寬內存及芯片代工領域，標誌着這兩家科技巨頭在AI基礎設施供應鏈上的戰略綁定進一步加強。

據TrendForce News周二報道，三星電子副會長全永鉉（Jun Young-hyun）於6月8日與英偉達CEO黃仁勳舉行會談，雙方就HBM及代工服務的潛在合作展開討論。

全永鉉表示，近期首要任務是確保今年HBM4及SOCAMM的穩定供應，同時雙方也就明年起的長期合作進行了磋商，涵蓋HBM4E、代工服務及HBM5。

此次會談發生在黃仁勳高調訪問韓國、並與SK海力士舉行一系列會面之後，外界對三星能否在英偉達供應鏈中鞏固地位高度關注。全永鉉雖未就雙方是否將簽署長期內存供應協議作出確認，但據Newspim報道，他表示三星將竭盡全力作為英偉達的重要合作伙伴支持其成功。

代工合作延伸至下一代Groq芯片

在代工業務層面，三星與英偉達的合作範圍正在擴大。三星正與英偉達就利用先進製程生產下一代芯片展開談判，涉及Drive AGX Thor自動駕駛芯片及Groq語言處理單元（LPU）。

全永鉉表示三星目前正以4nm和8nm製程為英偉達生產自動駕駛及Groq芯片，合作還延伸至下一代Groq芯片。三星目前以4nm製程生產第三代Groq LPU（LP30），全永鉉的表態意味着三星同樣具備生產下一代LP40的能力——儘管業界此前普遍預期台積電憑藉先進封裝優勢將拿下該訂單。

英偉達CEO黃仁勳在英偉達韓國AI生態系統接待會的問答環節中亦就雙方合作作出表態。據Dealsite報道，黃仁勳表示英偉達與三星在ASIC領域長期合作，目前正共同開發新的ASIC產品，雙方在內存技術領域也有着長期合作歷史。

內存供應覆蓋Vera Rubin平台全線產品

在內存業務方面，三星已為英偉達的Vera Rubin平台提供多款產品。三星正為該平台供應第六代HBM4內存，數據傳輸速率為11.7 Gbps；同時為Vera CPU提供基於LPDDR5X的SOCAMM2模組，以及基於PCIe Gen6的PM1763存儲解決方案。

在下一代產品方面，三星的HBM4E將DRAM核心芯片與自研4nm代工基礎芯片相結合，傳輸速度達到14 Gbps，測試中最高可達16 Gbps。這一技術參數若能順利量產，將有助於三星在高端HBM市場與SK海力士展開更直接的競爭。

長期協議懸而未決，合作框架仍在成形

儘管雙方合作範圍持續擴大，但關鍵的長期供應協議尚未落定。全永鉉在被問及是否將簽署長期內存供應協議時未予正面確認，措辭相對審慎。

從整體格局來看，此次會談涵蓋HBM4、HBM4E、HBM5、代工製程及ASIC聯合開發等多個維度，顯示雙方合作已從單一產品採購向更深層次的技術協同演進。對於投資者而言，三星能否在代工端成功爭取到LP40訂單、並在HBM供應鏈中進一步提升份額，將是衡量此輪合作實質進展的關鍵指標。