金吾財訊 | 安森美半導體(ON)宣佈，正式推出名為「GaNEXUS™」的全新氮化鎵（GaN）功率器件產品組合。目前，該系列涵蓋40V至650V電壓範圍的FET產品已開始提供樣品，其中包括集成了保護功能的650V GaNEXUS Smart智能芯片。此舉標誌着安森美在硅(Silicon)和EliteSiC(碳化硅)之外，進一步完善了其智能電源技術版圖。GaNEXUS系列將重點瞄準高功耗與高性能應用場景，包括AI數據中心供電、48V系統、機器人、工業自動化以及能源基礎設施等。據介紹，隨着AI基礎設施的大規模部署，高能耗和散熱管理成為核心挑戰。業界預計到2030年，僅AI數據中心就將消耗美國多達9%的發電量，而電費和冷卻成本可佔其總運營支出的40%。與傳統硅基方案相比，GaNEXUS具備更快的開關速度和更低的開關損耗，可顯著降低熱應力。同時，在低壓和中壓系統(如AI服務器48V中間總線轉換器、電池備份單元等)中，該產品可將磁性元件尺寸縮小30%至60%，功率密度提升1.5至2倍，整體效率提高0.5%至2%；在高壓應用(如AI機架電源、高壓DC-DC轉換等)中，磁性元件尺寸最多可削減60%，在大規模應用中能顯著降低系統運行成本。再者，GaNEXUS系列可與安森美現有的「Treo平台」結合使用，實現集感知、控制、保護於一體的系統級電源解決方案。此外，GaNEXUS Smart 650V芯片內置保護功能，能大幅降低系統風險，簡化功率級設計並縮短客戶產品的開發與認證周期。安森美半導體GaN部門副總裁Antoine Jalabert表示：「GaNEXUS組合正在為電源系統設計賦能全新的架構。在客戶對‘更小空間、更大功率’的追求日益迫切的當下，這一產品賦予了工程師更大的靈活性，幫助他們打破傳統電源架構的瓶頸。」截至本文發稿，ON美股盤前股價拉升2.19%，最新報123.55美元。