智通財經APP獲悉，光大證券發布研報稱，玻璃基板憑藉其優異特性，逐步成為新一代先進封裝介質。當前TGV玻璃基板正處於從實驗室基礎研究向量產工程化跨越的歷史性節點，且呈國外進度領先、國內加速追趕態勢。建議緊盯下游客戶驗證與量產線建設進度。建議關注上游原片環節、設備環節、其他材料以及加工製造環節相關標的。

光大證券主要觀點如下：

玻璃基板：新一代先進封裝材料

伴隨摩爾定律演進趨緩，先進封裝成為後摩爾時代芯片提升集成度與系統性能的核心路徑。而傳統有機基板在大尺寸集成中面臨翹曲變形、佈線密度受限及信號損耗等物理瓶頸。在此背景下，玻璃基板憑藉低介電常數、低介電損耗、高平整度、高化學穩定性及與硅高度匹配的熱膨脹係數等優異特性，逐步成為新一代先進封裝介。

產業化加速：TGV中介層與TGV玻璃芯板兩種方案並行

基於玻璃基板產生兩種先進封裝解決方案：替代TSV與替代IC封裝基板。

1)TGV中介層替代傳統TSV中介層：Intel於年初NEPCONJapan展示結合EMIB封裝與玻璃基板的實物樣品，採用雙EMIB橋接結構，承載規模實現翻倍;台積電CoPoS方案採用TGV中介層路線，「化圓為方」提升基板利用率，2月交付試點產線設備，預計6月完成產線建設，28年啓動量產;三星正積極測試將玻璃基板應用於下一代HBM4內存封裝，提升堆疊密度與散熱性能。

2)TGV玻璃芯板替代傳統IC封裝基板：Intel全球商業化領先，1月出貨全球首款搭載玻璃芯基板的Xeon 6+Clearwater Forest服務器處理器;三星電機試產線已投入運行，4月開始向蘋果供應AI服務器芯片「Baltra」的玻璃基板樣品。此外，CPO光電共封裝領域，玻璃基板因在寬光譜範圍內的高透明性、低介電損耗、高尺寸穩定性以及良好的工藝兼容性，近年來逐漸成為封裝級光波導集成技術的首選材料。

關鍵技術：TGV技術為核心，金屬化填充與RDL決定電氣連接質量

TGV核心工序包括原片製造、TGV通孔、金屬化填充、RDL等。TGV玻璃通孔的製備是玻璃基板封裝的核心工序。相比於傳統的物理鑽孔、激光直接消融、光敏玻璃等方法，激光誘導深度刻蝕工藝(LIDE)具備高深徑比、加工精度和加工效率較高的優勢，被認為是當前實現大尺寸、高密度TGV批量製造的最優技術路徑。此外，TGV金屬化填充與RDL技術主要實現通孔內部的金屬化填充及表面的精細布線，是決定玻璃基板電氣連接質量的關鍵。

現狀：海外步伐領先，國內加速追趕

受益於海外半導體巨頭TGV技術儲備更早，以及康寧等優質玻璃原片供應優勢，國外TGV進展領先。產業鏈看，1)原片：康寧、肖特、旭硝子等海外巨頭佔據絕大多數份額，國產替代加快突破。2)設備：包括激光設備、電鍍設備等。根據公司公告，帝爾激光已實現晶圓和麪板級TGV封裝激光技術全面覆蓋;東威科技已交付TGV電鍍設備併成功驗收。3)其他材料：包括刻蝕添加液(天承科技)、表面清洗劑(江化微)等。

風險分析：TGV技術進度不及預期，AI資本開支放緩，行業競爭加劇，國產替代不及預期。