韓國政府宣佈在西南地區新建存儲芯片集群，疊加三星電子披露的2450萬億韓元國內長期投資計劃，韓國半導體產業正迎來數十年來規模最大的擴張藍圖。

6月29日至30日，追風交易台消息，美銀證券分析師Simon Woo團隊以及高盛Giuni Lee團隊，相繼就韓國大規模存儲器投資計劃發布研究報告。

兩家機構的核心判斷高度一致，韓國政府及三星電子的鉅額投資承諾，彰顯出政府對長期存儲供給擴張的強力背書。

但受制於基礎設施建設周期與晶圓廠投產節奏，對全球存儲器供給的實質性影響最早需要8至10年才能顯現，投資者不應對近期供給衝擊抱有過高預期。

韓國政府宣佈，將在國家西南地區打造全新存儲器晶圓廠集群，芯片製造商預計總資本支出約為800萬億韓元。

政府將提供土地、電力及水利等基礎設施支持，但美銀證券預計，僅基礎設施建設階段就至少需要5年時間。

在此基礎上，新晶圓廠外殼建設加上初始產能爬坡與試生產，還需額外3至4年。綜合來看，新集群實現有意義的量產輸出，預計最快也要在8至10年之後。

值得注意的是，目前韓國現有的存儲晶圓廠主要集中於首爾都市圈周邊，包括平澤、龍仁、華城和利川等地，而此次政府規劃的西南集群與首爾距離較遠，所需基礎設施投入量級更大，建設難度顯著提升。

美銀證券將其類比為台積電在中國台南佈局的分散策略，指出這種遠離核心區域的產能擴張需要更漫長的前置準備期。

韓國存儲芯片廠商重申了到2030年將DRAM晶圓產能近乎翻倍的計劃，表面上看擴張幅度可觀，但這僅對應約15%的年均複合增長率（CAGR）。

然而，美銀證券進一步指出，若將舊廠關閉和新一代存儲芯片更長製造周期兩個因素納入考量，實際運行晶圓產能的擴張速度每年將低於10%，整體淨晶圓增長率到2030年僅為個位數百分比複合增長率。

即便龍仁和平澤的新晶圓廠外殼建設有所提速，在分析師看來也不太可能推動存儲產出在近期出現顯著增長。

對於存儲股投資者而言，這意味着近期供需平衡的改變更多依賴於需求端變量。

高盛就三星電子2026年6月29日發布的重大公告展開分析。

三星宣佈，未來15年（2026—2040年）將在國內投入共計2450萬億韓元，其中約2100萬億韓元用於半導體領域，佔總投資額的76%。具體拆分來看：

• 1650萬億韓元用於現有晶圓廠及在建項目，其中包括將龍仁6號廠的完工時間從2047年提前至2040年；
• 400萬億韓元用於位於光州的2座新晶圓廠，這是西南半導體集群項目的重要組成部分；
• 56萬億韓元用於在忠清道現有封裝廠附近新建HBM晶圓廠；
• 非存儲業務方面，三星顯示獲67萬億韓元，用於在忠清道建設新生產基地，專注於下一代智能手機面板及高分辨率微顯示產品；
• 在龜尾市，三星還將建立智能手機工廠和人形機器人生產線。

高盛認為此次公告隱含的資本支出增長節奏屬於合理範圍。具體推演邏輯如下：

若假設三星國內資本支出與研發合計約佔合併口徑總額的80%（與公司2022年公告中的比例一致），並假設2029年至2040年每年增長約6%，則2026至2040年累計國內支出約為2500萬億韓元，略高於官方公布的2450萬億韓元數字。

這意味着，在高盛對三星2026—2028年國內外合併口徑資本支出加研發預測（分別為125萬億、140萬億和151萬億韓元）的基礎上，今日公告隱含的2029—2040年支出增速約為5%至6%，高盛認為並不激進。

另一方面，高盛也提示，此次公告僅涵蓋國內投資，若未來疊加海外資本支出，對現有預測的上調空間或不容忽視。

過去5年，三星將約90%的資本支出集中於半導體，而本次公告隱含的半導體資本支出集中度為76%，意味着資源配置較近年有所分散。

綜合兩份機構分析，對投資者的核心啓示可歸納為以下幾點：

其一，供給衝擊為中長期事件。8至10年的建設投產周期決定了此次投資不會在近期改變存儲市場供需格局，短期內無需擔憂大規模新增供給對存儲價格造成壓制。

其二，政策信號價值大於短期財務意義。龍仁、平澤新廠建設提速以及西南新集群的正式確認，傳遞出韓國政府強力支持本國存儲產業長期擴張的明確意圖，有助於穩固市場對韓系存儲企業長期競爭力的信心。

其三，三星估值仍具吸引力。高盛對三星電子維持買入評級，普通股12個月目標價為48萬韓元，優先股目標價為36萬韓元，對應當前普通股價格（32.3萬韓元）的潛在漲幅約為48.6%。

高盛的投資邏輯建立在存儲定價持續強勁、HBM業務取得實質進展，以及更積極的股東回報預期之上。

其四，細節存在不確定性。三星本次未披露2450萬億韓元的投資是否包含研發支出，亦未公布新光州晶圓廠的具體產能規劃，15年計劃隨市場環境變化被調整的概率較高，投資者應動態跟蹤後續資本支出指引。

總體而言，此次韓國存儲投資計劃的戰略意義顯著大於短期業績催化意義，這是一場面向2030年代的長跑。