韓國總統李在明6月29日主持「三大超級項目」發布會，宣佈三星電子與SK海力士將在韓國西南部各新建兩座存儲芯片工廠。

消息刺激半導體設備股大漲。周二，ASML在阿姆斯特丹收盤上漲6.8%，創下歷史新高。在紐約，Applied Materials收漲約4%，KLA收漲8%。

邏輯很簡單：韓國兩大存儲巨頭四座新晶圓廠意味着大量光刻機、薄膜沉積設備和檢測系統的採購需求，而這些設備的主要供應商正是ASML、Applied Materials和KLA。

此次漲勢延續了半導體板塊今年的強勁走勢。費城半導體指數今年上半年近乎翻倍，第二季度漲幅超過86%，創下有記錄以來最強季度表現。不過板塊波動依然劇烈——上周該指數單周下跌7.9%，為4月初以來最差周表現，隨後隨着投資者重返人工智能基礎設施相關標的而反彈。

Susquehanna分析師Mehdi Hosseini繼續看好半導體，理由是行業需求持續走強。另有機構預測，到2028年全球晶圓製造設備年度支出規模將達2500億美元。

韓國西南存儲芯片新集群

此次投資計劃的核心是在韓國西南部打造全新存儲芯片集群，，總投資約800萬億韓元（約5180億美元），目標五年內DRAM產能翻倍。三星與SK海力士各承建兩座工廠，政府負責提供土地、電力和水利等基礎設施配套。

與此同時，三星還於6月29日單獨宣佈了一項更長周期的國內投資計劃：2026至2040年，在韓國國內累計投入2450萬億韓元，其中約2100萬億韓元用於半導體，佔比76%。

高盛分析師Giuni Lee團隊對此進行了拆解：

• 1650萬億韓元用於現有晶圓廠及在建項目，包括將龍仁6號廠完工時間從2047年提前至2040年；

• 400萬億韓元用於光州兩座新晶圓廠，即西南集群的核心部分；

• 56萬億韓元用於在忠清道新建HBM晶圓廠。

高盛認為，若假設三星國內資本支出與研發合計約佔合併口徑總額的80%，並以約6%的年均增速推算，2026至2040年累計國內支出約為2500萬億韓元，與官方公告數字基本吻合。高盛由此判斷，"這一隱含的支出增速並不激進。"

產能翻倍，但實際增速遠比數字溫和

韓國存儲廠商重申了到2030年DRAM晶圓產能近乎翻倍的目標，但美銀證券分析師Simon Woo團隊在6月29日至30日發布的研報中潑了一盆冷水。

翻倍聽起來激進，但對應的年均複合增長率僅約15%。更關鍵的是，若將舊廠關閉和新一代存儲芯片更長製造周期兩個因素納入考量，實際運行晶圓產能的年增速將低於10%，淨晶圓增長率到2030年僅為個位數百分比複合增長率。

美銀證券還指出，西南新集群遠離首爾都市圈，基礎設施投入量級更大，建設難度顯著高於現有的平澤、龍仁等基地。該機構將其類比為台積電在台南的分散佈局策略，認為這種遠離核心區域的產能擴張需要更漫長的前置準備期。

綜合基礎設施建設（至少5年）與晶圓廠外殼建設及產能爬坡（額外3至4年），美銀證券判斷，新集群實現有意義的量產輸出，最快也要在8至10年之後。

對於半導體設備板塊而言，下一個關鍵節點是7月財報季。ASML定於7月15日公布業績，台積電緊隨其後於7月16日發布財報。投資者屆時將重點關注兩家公司對新建工廠資本支出的最新指引，這將直接影響設備需求預期。