韓國政府主導的大規模存儲芯片產業集群建設計劃引發市場對存儲周期見頂的擔憂，但美銀分析師認為，這一擔憂明顯過度，當前存儲行業基本面依然強勁。

韓國政府計劃在該國西南部地區（如光州）斥資800萬億韓元建設新的存儲芯片製造集群，部分投資者將此解讀為存儲上行周期即將終結的信號。然而，據追風交易台，美銀證券分析師Simon Woo團隊最新研報明確指出，該集群預計在2033年前不會形成有意義的芯片產能，屬於聚焦龍仁/平澤產業集群擴張（2026至2035年）之後的長期規劃，對近中期供需格局影響有限。

與此同時，存儲芯片現貨及合約價格持續走強，韓國6月半導體出口額躍升至448億美元，按月大漲21%，按年增幅高達199%，已連續六個月實現三位數按年增長。

TrendForce亦將三季度DRAM均價漲幅預測從此前的3%至8%大幅上調至13%至18%。上述數據表明，存儲行業當前仍處於量價齊升的強勢通道之中，周期見頂的論斷缺乏數據支撐。

建廠計劃產能落地遙遠，近憂不必過度解讀

韓國政府主導的800萬億韓元存儲產業集群建設計劃是本輪市場擔憂的直接導火索。然而，美銀證券分析師強調，該計劃屬於超長期戰略佈局，在2033年之前預計不會產生實質性的芯片產量。

從時間線來看，韓國存儲產業的近期擴張重心仍集中於龍仁和平澤的現有產業集群，規劃周期為2026年至2035年。

西南部新集群的建設屬於後續階段，其對全球存儲供給格局的影響至少要到本輪周期結束後纔會顯現。美銀證券因此認為，目前尚未看到任何由資本開支驅動的存儲周期見頂跡象，企業級芯片需求（包括HBM、SOCAMM、企業級SSD等）依然強勁且多元化。

價格與出口數據印證周期上行勢頭未變

現貨及合約價格走勢為存儲行業的強勁基本面提供了有力佐證。

據DRAMeXchange數據，16Gb DDR5現貨價格在7月初升至47美元的歷史新高，較2017年10月約10美元的前期峯值高出逾三倍；16Gb DDR4現貨價格亦維持在75美元附近的周期高位，較2025年10月約3美元的低點累計漲幅約達2000%。

NAND方面，512Gb晶圓合約價格目前約為25美元，較2025年2月底部的2.5美元高出約10倍。儘管NAND現貨價格在4月至6月間漲勢趨緩，但仍較年初累計上漲逾50%。

韓國出口數據同樣印證了這一趨勢。6月韓國半導體出口額達448億美元，是2025年月均約140億美元的三倍以上，按年增速連續六個月保持三位數增長。TrendForce最新預測顯示，三季度DRAM均價漲幅預期已被大幅上調，NAND四季度漲幅預期亦從此前的8%至13%上調至10%至15%。美銀證券自身預測則顯示，DRAM均價在二至四季度將分別按月增長53%、17%和7%，NAND對應漲幅為65%、13%和1%。

超大規模雲廠商資本開支持續擴張，需求端無虞

需求端來看，美銀證券預計亞馬遜、微軟、Alphabet和Meta四大美國超大規模雲廠商2026年合計資本開支將按年增長約80%，達到約7000億美元，2027至2028年有望逼近1萬億美元。上述公司2026至2028年整體營收預計保持15%至20%的年增速，雲業務收入增速維持在35%至40%，AWS運營利潤率在35%以上，Azure則超過40%。

存儲芯片製造商普遍認為，Meta將持續加大對HBM、LPDDR5及企業級SSD等高端存儲產品的採購力度，用於AI數據中心建設。部分AI供應鏈企業（如NAND控制器IC供應商、基板材料製造商等）亦反映，Meta的長期芯片及元器件訂單正在持續增強。此前市場流傳的"Meta將出租過剩AI服務器"的說法，被芯片製造商認為缺乏依據。

產業鏈對供需前景普遍樂觀

美銀證券分析師本周赴日本與當地投資者及NAND供應鏈企業進行交流，調研結果整體偏向樂觀。

企業管理層普遍給出較為積極的業績指引，主要包括：二季度均價（尤其是NAND）表現超預期；三、四季度均價仍將延續按月上漲趨勢；2027年DRAM和NAND均存在供應短缺風險；長期協議（LTA）簽訂規模持續擴大（但仍以數量為主導）；日本NAND廠商資本開支及產量管控保持克制。

日本投資者整體對存儲行業持看多立場，但也頻繁詢問當前強勁增長背景下潛在下行風險的問題，反映出市場對周期持續性的關注。

三星二季度業績或略低於預期，存儲業務仍具亮點

三星電子二季度初步營業利潤（預計7月7日公布）可能因特別獎金（含一季度部分）及智能手機業務利潤率承壓，略低於市場普遍預期。

不過，美銀證券指出，若單獨計算存儲業務，受均價超預期表現支撐，存儲部門營業利潤有望超出市場預期，這與韓國強勁的半導體出口數據相互印證。