智通財經APP獲悉，中國銀河證券發布研報稱，AI算力驅動光互連升級，磷化錮全產業鏈從"材料瓶頸"走向"價值重估":隨着800G光模塊規模化部署、1.6T加速導入.CPO/SiPh在下一代AI集群中從樣品向量產遷移，磷化錮(InP)作為唯一可支撐1310/1550nm長距高速單模發射的直接帶隙III-V材料，其戰略地位從"光通信襯底"躍升為"AI基礎設施卡脖子環節"。2025年全球InP器件需求約200萬片，實際產能僅約60萬片，供需缺口超50%，且擴產周期長、良率爬坡慢、上游錮資源伴生於鋅礦，供給彈性極弱。

中國銀河證券主要觀點如下：

上游鋼資源"伴生+管制"雙重約束，純度瓶頸卡住產業鏈咽喉

全球90%原生錮來自鋅礦副產，中國精煉產量佔全球約70%; 2025年2月商務部對磷化錮等材料實施出口管制後，東西錮價脫鉤，6N級以上高純鋼提純〔電解一真空蒸餾―區域熔鍊多段工藝)進一步制約襯底端原料可得性，上游稀缺性正向中游傳導。

中游襯底寡頭壟斷格局穩固，6英寸升級+擴產周期是核心

襯底市場份額更小，但其技術壁壘和市場集中度遠高於外延:襯底製造是從0到1的結晶過程，核心難點在於:1)核心瓶頸在上游，襯底製造嚴重依賴6N級(99.9999%)以上的超高純鋼;2)長晶工藝極難，InP單晶生長需在高溫高壓下進行極端環境控制，且擴產周期較長，設備交期和良率爬坡極慢;3)高度寡頭壟斷:全球InP襯底住友(42%)、AXT/北京通美〔36%)、JX日礦(13%)三家合計壟斷>90%份額。住友大阪工廠預計擴產3倍、AXT募資6.325億美元擴產，缺口填補可期。而外延是在襯底上生長薄膜，其較襯底而言，市場集中度更低、市場份額更高。因此，該行認為，磷化錮襯底作為產業鏈最上游的製造環節，是當前技術壁壘最高同時供需最緊張，也是當前AI光模塊鏈中最為卡脖子的一環。

下游EML短缺倒逼技術路徑分化，InP在光源側不可替代性強化

光芯片沿EML(現行)→Cw+SiPh(高速發展)→CPO+ELS (2026-2028)→硅基單片III-V(2030+)四代演進;EML被NVIDIA等鎖產能、交付延至2027年後，800G供需缺口40-60%，驅動CW+SiPh加速滲透，但CW的InP基底仍依賴住友/AXT，InP需求不減反增。

產業鏈利潤向"襯底/外延+高溜光芯片"雙集中，垂直整合廠商議價權放大

襯底技術壁壘、廠商集中度最高;外延因MOCVD可採購而分散，但定製化程度高、客戶粘性強;下游EML/CW/UHP芯片與CPOELS模塊ASP具備2-3倍彈性。擁有InP長晶+外延+芯片+模塊全棧能力的IDM (Lumentum、Coherent)與襯底材料龍頭(住友、AXT/通美)將享受缺口溢價。

投資建議

行業供不應求，高景氣度。建議關注相關龍頭標的，光通信相關標的:AXT (AXTI)，日本住友電氣(5802.T) ，IQE (IQE.L) ， AppliedOptoelectronics (AAOI.O) ， Lumentum (LITE) ，Coherent (COHR) ，Ciena (CIEN.N)等，關注盈利能力和估值雙升趨勢。

風險提示

1.CSP資本開支不及預期導致需求波動的風險;2.上游錮供應與出口管制擾動的風險;3.襯底外延擴產與良率爬坡不及預期的風險;4.技術路徑替代與CPO滲透節奏不及預期的風險。