【通用DRAM漲價放緩 三星、SK 海力士、美光開啓HBM4良率攻堅戰】全球三大存儲芯片廠商正式開啓第四代高帶寬內存良率攻堅戰。此前通用DRAM漲價為存儲企業業績提供支撐，但如今其漲幅已然放緩，各家企業試圖拉高高利潤率HBM產品競爭力，以此最大化經營收益。 業內消息顯示，三星電子、SK海力士、美光三大存儲巨頭均在推行HBM4良率提升戰略。三家企業裏，三星電子最先實現HBM4量產，隨着產線轉入大規模生產階段，良率提升速度十分可觀。業內部分觀點認為，三星HBM4良率已提升至70%左右。SK海力士暫未對外披露HBM4具體良率數值，但行業普遍判斷其良率也已步入穩定區間。半導體設備行業高層人士透露：「SK海力士正籌備追加設備採購以擴充HBM4產能，此舉主要為改善良率、提升產品供貨量。」美光在產能規模上不及韓國兩家存儲廠商，正因如此，美光正全力提速良率改善與產能擴張。據悉美光已啓動大規模設備投資，同步推進良率提升與產能爬坡。