【三星電子確認HBM5將採用2納米GAA工藝，速度較HBM4E提升50%以上】三星電子7月27日發布對公司半導體事業部技術開發室長具子鉉的採訪。具子鉉表示，預計下一代HBM5內存的運行速度將比HBM4E快50%以上，「HBM5基礎芯片將採用GAA結構的2納米工藝，並實現更高集成度的硅通孔」。
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